GD1000HTA75P6HT

Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 750V 1000A ,P6 .

Fitur

Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
Kerugian switching rendah
6μs kemampuan hubung singkat
VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
Suhu junction maksimum 175 °C
Kasing induktansi rendah
Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
Landasan tembaga pinfin terisolasi menggunakan teknologi AMB Si3N4

Aplikasi Tipikal

Aplikasi otomotif
Kendaraan hibrida dan listrik
Inverter untuk motor drive

Absolute Maksimum Peringkat t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Deskripsi	Nilai	unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	750	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya CN	Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental	1000	A
Saya C	Arus Pengumpul @ T F =125 O C	450	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms	2000	A
P D	Dissipasi Daya Maksimum ation @ t F =75 O C t vj = 175 O C	1282	W

Dioda

Simbol	Deskripsi	Nilai	unit
V RRM	Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia	750	V
Saya FN	Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental	1000	A
Saya F	Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental	450	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms	2000	A

Modul

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
t vjmax	Suhu Junction Maksimum	175	O C
t vjop	Suhu Junction Operasi kontinu Selama 10 detik dalam satu periode 30 detik, kejadian maksimal 3000 kali seumur hidup	-40 hingga +150 +150 hingga +175	O C
t STG	Rentang suhu penyimpanan	-40 hingga +125	O C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V
D Merayap	Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal	9.0 9.0	mm
D jelas	Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal	4.5 4.5	mm

IGBT Karakteristik t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =450A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.10

1.35

V

Saya C =450A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

1.10

Saya C =450A,V GE = 15V, t vj = 175 O C

1.10

Saya C =1000A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.40

Saya C =1000A,V GE = 15V, t vj = 175 O C

1.60

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =12.9 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.2

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

NF

C oes

Kapasitansi Output

1.50

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.35

NF

Q g

Biaya gerbang

V CE =400V,I C =450A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C =450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =25 O C

244

n

t R

Waktu naik

61

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

557

n

t F

Waktu musim gugur

133

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

11.0

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

22.8

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C =450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj = 150 O C

260

n

t R

Waktu naik

68

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

636

n

t F

Waktu musim gugur

226

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

16.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

32.2

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C =450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj = 175 O C

264

n

t R

Waktu naik

70

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

673

n

t F

Waktu musim gugur

239

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

19.2

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

33.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

t vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P ≤3μs, V GE = 15V,

t vj = 175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Dioda Karakteristik t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F =450A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.40	1.65	V
		Saya F =450A,V GE =0V,T vj = 150 O C		1.35
		Saya F =450A,V GE =0V,T vj = 175 O C		1.30
		Saya F =1000A,V GE =0V,T vj =25 O C		1.80
		Saya F =1000A,V GE =0V,T vj = 175 O C		1.80
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =400V,I F =450A, -di/dt=7809A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,t vj =25 O C		18.5		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			303		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			3.72		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =400V,I F =450A, -di/dt=6940A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,t vj = 150 O C		36.1		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			376		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			8.09		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =400V,I F =450A, -di/dt=6748A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,t vj = 175 O C		40.1		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			383		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			9.01		mJ

NTC Karakteristik t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
R 25	Rentang Rating			5.0		kΩ
∆R/R	Penyimpangan dari R 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Daya dissipasi				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		k
B 25/80	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		k
B 25/100	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		k

Modul Karakteristik t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
L CE	Induktansi Sisa		8		nH
R CC+EE	Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip		0.75		mΩ
P	Tekanan Maksimum Dalam Sirkulasi Pendinginan menggemaskan t Papan dasar <40 O C t Papan dasar > 40 O C (tekanan relatif)			2.5 2.0	Batang
R thJF	Perpaduan -ke -Pendinginan Cairan (perIGBT )Cairan penghubung ke pendinginan (per D) yodium) △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,t F =75 O C		0.068 0.105	0.078 0.120	K/W
m	Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	Berat dari Modul		750		g