Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya CN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

1000

A

Saya C

Arus Pengumpul @ T F =75 O C

765

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

2000

A

P D

Dissipasi Daya Maksimum ation @ t F =75 O C ,t j = 175 O C

1515

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya FN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

1000

A

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

765

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

2000

A

Saya FSM

Arus Maju Lonjakan t P =10ms @ t j =25 O C @T j =150C

4100

3000

A

Saya 2t

Saya 2Nilai t, t P =10ms@T j =25C @T j =150C

84000

45000

A 2S

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =1000A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.45

1.90

V

Saya C =1000A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.65

Saya C =1000A,V GE = 15V, t j = 175 O C

1.80

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

51.5

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.36

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

13.6

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, R g =0,51Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V,

t j =25 O C

330

n

t R

Waktu naik

140

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

842

n

t F

Waktu musim gugur

84

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

144

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

87.8

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, R g =0,51Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V,

t j =125 O C

373

n

t R

Waktu naik

155

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

915

n

t F

Waktu musim gugur

135

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

186

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

104

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, R g =0,51Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V,

t j = 175 O C

390

n

t R

Waktu naik

172

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

950

n

t F

Waktu musim gugur

162

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

209

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

114

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤8μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

t P ≤6μs, V GE = 15V,

t j = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =1000A,V GE =0V,T j = 25O C

1.60

2.05

V

Saya F =1000A,V GE =0V,T j =125 O C

1.70

Saya F =1000A,V GE =0V,T j = 175 O C

1.60

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,t j =25 O C

91.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

441

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

26.3

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,t j =125 O C

141

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

493

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

42.5

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,t j = 175 O C

174

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

536

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

52.4

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.80

mΩ

R thJF

Perpaduan -ke -Pendinginan Cairan (perIGBT )Sambungan-ke-Cairan Pendingin (per Di (Inggris) △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,t F =75 O C

0.066 0.092

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Berat dari Modul

400

g