Semua Kategori

IGBT Diskrit

IGBT Diskrit

Halaman Utama /  Produk  /  IGBT Diskrit

DG25X12T2, IGBT diskrit, STARPOWER

1200V,25A

Brand:
STARPOWER
  • Pengenalan
Pengenalan

Pengingat baik :F atau lebih IGBT Diskrit , silakan kirim email.

Fitur

  • VCE rendah (sat) Lubang IGBT Teknologi
  • Kemampuan hubung singkat 10μs
  • Kerugian switching rendah
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • VCE (sat) Dengan positif Suhu koefisien
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Kemasan bebas timbal

Tipikal Aplikasi

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 110O C

50

25

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P dibatasi oleh T jmax

100

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

573

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Kontinu Diode @ T C = 110O C

25

A

Saya Fm

Dioda Maksimum Maju arus t P terbatas Oleh t jmax

100

A

Diskrit

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +175

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-55 hingga +150

O C

t S

Suhu Penyolderan,1.6mm dari kasus untuk 10-an

260

O C

m

Torsi pemasangan, Sekrup M3

0.6

N.M

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =25A, V GE = 15V,

t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =25A, V GE = 15V,

t j =125 O C

1.95

Saya C =25A, V GE = 15V,

t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =0.63 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

2.59

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.07

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

0.19

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =25A, R g =20Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

28

n

t R

Waktu naik

17

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

196

n

t F

Waktu musim gugur

185

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

1.71

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

1.49

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =25A, R g =20Ω,V GE = ± 15V, t j =125 O C

28

n

t R

Waktu naik

21

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

288

n

t F

Waktu musim gugur

216

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

2.57

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

2.21

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =25A, R g =20Ω,V GE = ± 15V, t j = 150 O C

28

n

t R

Waktu naik

22

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

309

n

t F

Waktu musim gugur

227

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

2.78

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

2.42

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

100

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =25A,V GE =0V,T j =25 O C

2.20

2.65

V

Saya F =25A,V GE =0V,T j = 125O C

2.30

Saya F =25A,V GE =0V,T j = 150O C

2.25

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V t j =25 O C

1.43

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

34

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

0.75

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V t j = 125O C

2.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

42

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

1.61

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V t j = 150O C

2.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

44

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

2.10

mJ

Diskrit Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.262

0.495

K/W

R thJA

Junction-to-Ambient

40

K/W

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000