Modul Thyristor Turn-off Cepat

VRRM,VDRM

Tipe & Garis Besar

600V

MKx75-06-216F3B

MHx75-06-216F3B

800V

MKx75-08-216F3B

MHx75-08-216F3B

1000V

MKx75-10-216F3B

MHx75-10-216F3B

1200V

MKx75-12-216F3B

MHx75-12-216F3B

1400V

MKx75-14-216F3B

MHx75-14-216F3B

1600V

MKx75-16-216F3B

MHx75-16-216F3B

1800V

MKx75-18-216F3B

MHx75-18-216F3B

1800V

MK75-18-216F3BG

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( 。C)

nilai

unit

Min

Jenis

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180。gelombang setengah sinus 50Hz Pendinginan sisi tunggal,Tc=85 。C

125

75

A

IT(RMS)

Arus on-state RMS

118

A

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

30

mA

Saya _TSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=60%VRRM

125

1.6

kA

Saya ²t

I2t untuk koordinasi peleburan

13

10³A ²S

V _ke

Tegangan Ambang

125

1.50

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

4.00

mΩ

V _TM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=225A

25

2.53

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

Tq

Waktu mati komutasi sirkuit

ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

Saya _GT

Arus pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

30

150

mA

V _GT

Tegangan pemicu gerbang

0.8

2.5

V

Saya _H

Arus penahan

20

200

mA

IL

Arus pengunci

1000

mA

V _GD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM= 67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi tunggal per chip

0.20

°C /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Dingin sisi tunggal per chip

0.04

°C /W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

Fm

Torsi koneksi terminal(M6)

4.5

6.0

Jumlah

Torsi pemasangan(M6)

4.5

6.0

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

°C

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

°C

Wt

Berat

320

g

Rangka kerja

216F3B