Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD300SGU120C2S

Unit

VCES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

VGES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Ic

Arus Kolektor @ TC=25℃

@ TC=80℃

440

300

A

ICM

Arus Kolektor Berdenyut tp=1ms

600

A

IF

Arus Maju Kontinu Dioda @ TC=80℃

300

A

IFM

Arus Maju Maksimum Dioda tp=1ms

600

A

PD

Daya Dissipation maksimum @ Tj=150℃

2272

W

Tjmax

Suhu Junction Maksimum

150

°C

TSTG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

°C

VISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Torsi Pemasangan

Sekrup Terminal Sinyal:M4

1.1 sampai 2.0

Sekrup Terminal Daya:M6

2,5 sampai 5,0

N.M

Sekrup Pemasangan:M6

3,0 sampai 5,0

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V ((BR) CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

Tj=25℃

1200

V

ICES

Pemotongan Kolektor

arus

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

5.0

mA

IGES

Listrik kebocoran gerbang-emitter

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

VGE(th)

Tegangan ambang gerbang-emitter

IC=3,0mA, VCE=VGE, Tj=25°C

4.4

5.2

6.0

V

VCE (sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=300A, VGE=15V, Tj=25°C

3.10

3.55

V

IC=300A, VGE=15V, Tj=125°C

3.45

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, R g = 3,3Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 °C

662

n

t R

Waktu naik

142

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

633

n

t F

Waktu musim gugur

117

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

19.7

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

22.4

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, R g = 3,3Ω,

V GE = ± 15V, t j =125 °C

660

n

t R

Waktu naik

143

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

665

n

t F

Waktu musim gugur

137

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

24.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

28.4

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

25.3

NF

C oes

Kapasitansi Output

2.25

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.91

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

2550

A

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

0.18

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 300A

t j =25 °C

1.82

2.25

V

t j =125 °C

1.95

Q R

Dipulihkan

biaya

Saya F = 300A,

V R =600V,

R g = 3,3Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

29.5

μC

t j =125 °C

42.3

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

210

A

t j =125 °C

272

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

16.4

mJ

t j =125 °C

22.7

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

0.055

K/W

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.092

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

0.035

K/W

Berat

Berat Modul

300

g