Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

630

400

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

2083

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

800

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =400A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.7

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

39.6

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.20

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =15V

2.40

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 O C

408

n

t R

Waktu naik

119

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

573

n

t F

Waktu musim gugur

135

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

10.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

36.2

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, t j = 125O C

409

n

t R

Waktu naik

120

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

632

n

t F

Waktu musim gugur

188

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

13.2

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

53.6

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, t j = 150O C

410

n

t R

Waktu naik

123

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

638

n

t F

Waktu musim gugur

198

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

14.4

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

56.1

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.85

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.85

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=3350A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

40.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

259

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

19.7

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=3350A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

67.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

323

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

32.6

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=3350A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

77.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

342

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

38.3

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.35

mΩ

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.072

0.095

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (per IGBT)

Case-to-Sink (per Diode)

0.123

0.162

K/W

R θ CS

Case-to-Sink

0.035

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat Modul

300

g