H76KPU, Thyristor Kontrol Fase

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj(℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda

TC=70 ℃

115

1000

A

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM tp= 10ms pada VRRM tp= 10ms

115

600

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

115

10.5

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

551

103A2s

VTO

Tegangan Ambang

115

1.38

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

0.90

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM= 1500A, F=32kN

25

2.80

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=0.67VDRM

115

2000

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

VDM = 67% VDRM,

Pulsa gerbang tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

115

200

A/μs

Qrr

biaya pemulihan

ITM=2000A,tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

115

3800

μC

IGT

Arus pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

3.0

V

IH

Arus penahan

25

200

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

115

0.3

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Gaya penjepit pendingin sisi ganda 32kN

0.011

℃ /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

0.003

Fm

Kekuatan pemasangan

27

32

34

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

115

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

140

℃

Wt

Berat

1140

g

Rangka kerja

KT60dT