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IGBT-Modul,4500V 900A
Merkmale
SPT+Chip-Set für niedrige Schalt verluste |
niedrig vCEsat |
Niedrige Treiber Leistung |
a)lSiC Grundplatte für hohe Leistung czyklische Fähigkeity |
AlN Substrat für niedrigen thermischen Widerstand |
Typische Anwendung
Traktionsantriebe |
DC-Chopper |
Hochspannungswechselrichter/-wandler |
Maximale Nennwerte
Parameter/参数 |
Symbol/符号 |
Bedingungen/条件 |
Min |
maximal |
Einheit |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter 集电极-发射极电压 |
vCES |
vGE =0V,TVj ≥25°C |
|
4500 |
v |
DC-Kollektor Strom 集电极电流 (Zusammenfassung von elektrischem Strom) |
Ichc |
tc =80°C |
|
900 |
a) |
Spitzen-Kollektor Strom 集电极峰值电流 |
Ichcm |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
1800 |
a) |
Spannung des Tor-Emitters Gatetreiber-Emitter-Spannung |
vGES |
|
-20 |
20 |
v |
Gesamtzahl Leistungsausfall Gesamtleistungsverlust |
ptot |
tc =25°C,perswitch(IGBT) |
|
8100 |
w |
DC Vorwärtsstrom Gleichstrom-Vorwärtsstrom |
Ichf |
|
|
900 |
a) |
Spitzen-Vorwärtsstrom 峰值正向电流 |
IchFRM |
TP=1 ms |
|
1800 |
a) |
- Die Welle. Strom Einschaltstrom |
IchFSM |
vR =0V,TVj =125°C,tp=10ms, Halbwelle |
|
6700 |
a) |
IGBT Kurzschluss SCHALTUNG SOA IGBT Kurzschluss-Sicherheitsarbeitsbereich |
tpsc |
vCc =3400V,VCEMCHIP≤4500V vGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
Isolationsspannung 绝缘电压 |
vIsolierung |
1min, f=50Hz |
|
10200 |
v |
Junction-Temperatur 结温 |
tVj |
|
|
150 |
°C |
Junction-Betriebstemperaturerature Arbeitszeit |
tvj(op) |
|
-50 |
125 |
°C |
Gehäusetemperatur 温 |
tc |
|
-50 |
125 |
°C |
Lagertemperatur |
tstg |
|
-50 |
125 |
°C |
Montagedrehmomente Einrichtungstrom |
ms |
|
4 |
6 |
m |
mt1 |
|
8 |
10 |
||
mt2 |
|
2 |
3 |
|
IGBT Charakteristische Werte
Parameter/参数 |
Symbol/符号 |
Bedingungen/条件 |
Min |
Typ |
maximal |
Einheit |
|
Sammler (- Emitter) Durchbruch Spannung 集电极-发射极阻断电压 |
v(BR)CES |
vGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C |
4500 |
|
|
v |
|
Sättigung des Sammler-Emitters Spannung 集电极-发射极饱和电压 |
vCEsat |
Ichc =900A, vGE =15V |
Tvj= 25°C |
|
2.7 |
3.2 |
v |
Tvj=125°C |
|
3.4 |
3.8 |
v |
|||
Kollektor-Abschaltspannung Strom 集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms) |
IchCES |
vc =4500V, vGE =0V |
Tvj= 25°C |
|
|
10 |
- Ich weiß. |
Tvj=125°C |
|
|
100 |
- Ich weiß. |
|||
Tor Leckstrom 极漏电流 (极) 极leckstrom |
IchGES |
vc =0V,VGE =20V, tVj = 125°C |
-500 |
|
500 |
- Nein. |
|
Gate-Emitter Schwellenwertspannung Gatetreiber-Emitter-Schwellenwertspannung |
vEG (Jahr) |
Ichc =240mA,Vc =VGE- Ich weiß. tVj = 25°C |
4.5 |
|
6.5 |
v |
|
Tor Gebühr 极电荷 |
QG |
Ichc =900A,Vc = 2800V, vGE =-15V - Ich weiß. 15 V |
|
8.1 |
|
μC |
|
Eingangskapazität Input-Kapazität |
c- Nein. |
vc =25V,VGE =0V,- Ich weiß.f=1MHz,TVj = 25°C |
|
105.6 |
|
NF |
|
Ausgangskapazität Ausgangsleistung |
c- Die |
|
7.35 |
|
|||
Rückwärtsübertragungs-Kapazität Rückwärtsübertragungs-Kapazität |
cAufnahme |
|
2.04 |
|
|||
Einschaltverzögerung Zeit 开通延迟时间 |
t(Das ist ein |
vCc = 2800V, Ichc =900A, RG =2.2Oh - Ich weiß. vGE =±15V, Ich...σ=280nH, 感性负载 (gefühlsmäßige Belastung) |
Fernsehen =- Ich weiß.25 °c |
|
680 |
|
NS |
Fernsehen = 125 °c |
|
700 |
|
||||
Aufstiegszeit Aufstieg |
tR |
Fernsehen =- Ich weiß.25 °c |
|
230 |
|
||
Fernsehen = 125 °c |
|
240 |
|
||||
Verzögerungszeit für die Abschaltung Ausschaltverzögerung |
td(aus) |
Fernsehen =- Ich weiß.25 °c |
|
2100 |
|
NS |
|
Fernsehen = 125 °c |
|
2300 |
|
||||
Herbstzeit - Ich bin nicht sicher. |
tf |
Fernsehen = 25 °c |
|
1600 |
|
||
Fernsehen = 125 °c |
|
2800 |
|
||||
Einschaltsteuerung Energieverlust Einschaltverluste |
eauf |
Fernsehen = 25 °c |
|
1900 |
|
m |
|
Fernsehen =125 °c |
|
2500 |
|
||||
Ausschaltsteuerung Energieverlust Ausschaltverluste |
eaus |
Fernsehen = 25 °c |
|
3100 |
|
m |
|
Fernsehen =125 °c |
|
3800 |
|
||||
Kurzschluss Strom Kurzschlussstrom |
IchSc |
tpsc ≤ 10μs, VGE =15V,- Ich weiß.tvj = 125°C,VCc = 3400V |
|
3600 |
|
a) |
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