IGBT-Modul, 1700V 650A
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten Anmerkung
- Ich weiß.
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1700 |
v |
|
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
|
Ichc |
Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc= 100oc |
1073 650 |
a) |
|
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms |
1300 |
a) |
|
pd |
Maximale Leistungsabgabe @ Tj=175oc |
4.2 |
kW |
Diode
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
vRRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1700 |
v |
|
Ichf |
Diode kontinuierlich vorwärtsrent |
650 |
a) |
|
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
1300 |
a) |
Modul
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
oc |
|
t- Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
oc |
|
tstg |
LagertemperaturBereich |
-40 bis +150 |
oc |
|
vIso |
Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1 Minute |
4000 |
v |
- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc=650A,VGE=15V, tj=25oc |
|
1.90 |
2.35 |
v |
|
Ichc=650A,VGE=15V, tj=125oc |
|
2.35 |
|
|||
|
Ichc=650A,VGE=15V, tj=150oc |
|
2.45 |
|
|||
|
vGE(Die) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
Ichc=24.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
v |
|
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom |
vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
5.0 |
- Ich weiß. |
|
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Nein. |
|
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
2.3 |
|
Oh |
|
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
72.3 |
|
NF |
|
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
1.75 |
|
NF |
|
|
QG |
Gate-Ladung |
vGE=- 15…+15V |
|
5.66 |
|
μC |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=650A,- Das ist nicht wahr.RGon= 1.8Ω,RGoff=2,7Ω,vGE=±15V,Tj=25oc |
|
468 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
86 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
850 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
363 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
226 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
161 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=650A,- Das ist nicht wahr.RGon= 1.8Ω,RGoff=2,7Ω,vGE=±15V,Tj= 125oc |
|
480 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
110 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
1031 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
600 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
338 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
226 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=650A,- Das ist nicht wahr.RGon= 1.8Ω,RGoff=2,7Ω,vGE=±15V,Tj= 150oc |
|
480 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
120 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
1040 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
684 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
368 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
242 |
|
m |
|
|
IchSc |
SC-Daten |
tp≤ 10 μs, VGE=15V, tj=150oC,VCc= 1000V,vCEM≤1700V |
|
2600 |
|
a) |
Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf=650A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.85 |
2.30 |
v |
|
Ichf=650A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.98 |
|
|||
|
Ichf=650A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
2.02 |
|
|||
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc |
|
176 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
765 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
87.4 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15 V tj= 125oc |
|
292 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
798 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
159 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15 V tj= 150oc |
|
341 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
805 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
192 |
|
m |
NTC Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
R25 |
Nennwiderstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
|
ΔR/R |
Abweichung von R100 |
tc= 100 oC, R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
|
p25 |
Leistung Ablösung |
|
|
|
20.0 |
m |
|
b25/50 |
B-Wert |
R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
k |
|
b25/80 |
B-Wert |
R2=R25exp[B25/80(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
k |
|
b25/100 |
B-Wert |
R2=R25exp[B25/100(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
k |
Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
Ich...c |
Streuinduktivität |
|
18 |
|
- Nein. |
|
RCC’+EE’ |
ModulleiterwiderstandTerminal an Chip |
|
0.30 |
|
mΩ |
|
RthJC |
Junction-to-Case (pro IGBT) Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
|
|
35.8 71.3 |
K/kW |
|
RthCH |
Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT) Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul) |
|
13.5 26.9 4.5 |
|
K/kW |
|
m |
Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Endgeräteanschluss Drehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube M5 |
1.8 8.0 3.0 |
|
2.1 10.0 6.0 |
n.m. |
|
G |
Gewicht von Modul |
|
810 |
|
G |
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