IGBT-Modul,3600V 1700V
Merkmale
●SPT+Chip-Set für niedrige Schaltverluste
●Niedriger VCEsat
●Niedrige Treiberleistung
●AlSiC-Basisplatte für hohe Leistungszyklusfähigkeit
●AlN-Substrat für niedrigen thermischen Widerstand
Typische Anwendung
●Zugantriebe
●Gleichstromwandler
●Mittelspannungswechselrichter/Wandler
Maximale Nennwerte
Parameter |
Symbol |
Bedingungen |
Min |
maximal |
Einheit |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
VCES |
VGE =0V,Tvj ≥25°C |
|
1700 |
v |
DC Kollektorstrom |
- Ich weiß. |
TC =80°C |
|
3600 |
a) |
Spitzenstrom des Kollektors |
ICM |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
7200 |
a) |
Spannung des Tor-Emitters |
VGES |
|
-20 |
20 |
v |
Gesamtleistungsverlust |
Ptot |
TC =25°C, pro Schalter (IGBT) |
|
17800 |
w |
DC Vorwärtsstrom |
Wenn |
|
|
3600 |
a) |
Spitzen-Vorwärtsstrom |
IFRM |
TP=1 ms |
|
7200 |
a) |
Stromstoß |
IFSM |
VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, halbsinusschwingung |
|
18000 |
a) |
IGBT Kurzschluss SOA IGBT |
tpsc |
VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
Isolationsspannung |
Schnüren |
1min, f=50Hz |
|
4000 |
v |
Junction-Temperatur |
Fernsehen |
|
|
175 |
°C |
Junction-Betriebstemperatur |
Tvj(op) |
|
-50 |
150 |
°C |
Gehäusetemperatur |
tc |
|
-50 |
125 |
°C |
Lagertemperatur |
Tstg |
|
-50 |
125 |
°C |
Montagedrehmomente |
m |
|
4 |
6 |
m |
Mt1 |
|
8 |
10 |
||
Mt2 |
|
2 |
3 |
IGBT Charakteristische Werte
Parameter |
Symbol |
Bedingungen |
Min |
Typ |
maximal |
Einheit |
|
Kollektor (- Emitter) Durchbruch Spannung |
V(BR)CES |
VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C |
1700 |
|
|
v |
|
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung |
VCEsat |
IC =3600A, VGE =15V |
Tvj= 25°C |
|
2.5 |
|
v |
Tvj=125°C |
|
3.0 |
|
v |
|||
Tvj=150°C |
|
3.1 |
|
v |
|||
Kollektorabschaltstrom |
ICES |
VCE =1700V, VGE =0V |
Tvj= 25°C |
|
|
10 |
- Ich weiß. |
Tvj=125°C |
|
|
100 |
- Ich weiß. |
|||
Tvj=150°C |
|
170 |
|
- Ich weiß. |
|||
Durchlässigkeit des Tores |
IGES |
VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C |
-500 |
|
500 |
- Nein. |
|
Gate-Emitter Schwellenwertspannung |
VGE(th) |
IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C |
5.3 |
|
7.3 |
v |
|
Gate-Ladung |
QG |
IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V |
|
21.0 |
|
μC |
|
Eingangskapazität |
Cies |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C |
|
239 |
|
NF |
|
Ausgangskapazität |
Coes |
|
20.9 |
|
|||
Rückwärtsübertragungs-Kapazität |
Cres |
|
9.24 |
|
|||
Verzögerungszeit der Einleitung |
Die Daten sind nicht verfügbar. |
VCC =900V, IC =3600A, RG =2.2Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, |
Tvj = 25 °C |
|
1200 |
|
NS |
Tvj = 125 °C |
|
1500 |
|
||||
Tvj = 150 °C |
|
1600 |
|
||||
Aufstiegszeit |
Tr |
Tvj = 25 °C |
|
1400 |
|
||
Tvj = 125 °C |
|
1600 |
|
||||
Tvj = 150 °C |
|
1700 |
|
||||
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
Td (ausgeschaltet) |
Tvj = 25 °C |
|
3000 |
|
NS |
|
Tvj = 125 °C |
|
3500 |
|
||||
Tvj = 150 °C |
|
3700 |
|
||||
Herbstzeit |
Tf |
Tvj = 25 °C |
|
500 |
|
||
Tvj = 125 °C |
|
560 |
|
||||
Tvj = 150 °C |
|
620 |
|
||||
Energieverlust beim Einschalten |
EON |
Tvj = 25 °C |
|
2700 |
|
m |
|
Tvj = 125 °C |
|
2900 |
|
||||
Tvj = 150 °C |
|
3200 |
|
||||
Energieverlust beim Ausschalten |
EOFF |
Tvj = 25 °C |
|
3800 |
|
m |
|
Tvj = 125 °C |
|
4100 |
|
||||
Tvj = 150 °C |
|
4400 |
|
||||
Kurzschlussstrom |
Schlechte |
tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 1200V |
|
10000 |
|
a) |
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