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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.

IGBT-Modul,3600V 1700V

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF3600-17/TIM3600E2SM17-TSA000
  • Einführung
Einführung

Merkmale

●SPT+Chip-Set für niedrige Schaltverluste

●Niedriger VCEsat

●Niedrige Treiberleistung

●AlSiC-Basisplatte für hohe Leistungszyklusfähigkeit

●AlN-Substrat für niedrigen thermischen Widerstand

 

Typische Anwendung

●Zugantriebe

●Gleichstromwandler

●Mittelspannungswechselrichter/Wandler

 

Maximale Nennwerte

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min

maximal

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

 

1700

v

DC Kollektorstrom

- Ich weiß.

TC =80°C

 

3600

a)

Spitzenstrom des Kollektors

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

 

7200

a)

Spannung des Tor-Emitters

VGES

 

-20

20

v

Gesamtleistungsverlust

Ptot

TC =25°C, pro Schalter (IGBT)

 

17800

w

DC Vorwärtsstrom

Wenn

 

 

3600

a)

Spitzen-Vorwärtsstrom

IFRM

TP=1 ms

 

7200

a)

Stromstoß

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, halbsinusschwingung

 

18000

a)

IGBT Kurzschluss SOA IGBT

 

tpsc

 

VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

 

 

10

 

μs

Isolationsspannung

Schnüren

1min, f=50Hz

 

4000

v

Junction-Temperatur

Fernsehen

 

 

175

°C

Junction-Betriebstemperatur

Tvj(op)

 

-50

150

°C

Gehäusetemperatur

tc

 

-50

125

°C

Lagertemperatur

Tstg

 

-50

125

°C

Montagedrehmomente

m

 

4

6

 

m

Mt1

 

8

10

Mt2

 

2

3

 

IGBT Charakteristische Werte

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min

Typ

maximal

Einheit

Kollektor (- Emitter) Durchbruch Spannung

V(BR)CES

VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

1700

 

 

v

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung 

 

VCEsat

IC =3600A, VGE =15V

Tvj= 25°C

 

2.5

 

v

Tvj=125°C

 

3.0

 

v

Tvj=150°C

 

3.1

 

v

Kollektorabschaltstrom 

 

ICES

VCE =1700V, VGE =0V

Tvj= 25°C

 

 

10

- Ich weiß.

Tvj=125°C

 

 

100

- Ich weiß.

Tvj=150°C

 

170

 

- Ich weiß.

Durchlässigkeit des Tores 

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

 

500

- Nein.

Gate-Emitter Schwellenwertspannung 

VGE(th)

IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

5.3

 

7.3

v

Gate-Ladung 

QG

IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V

 

21.0

 

μC

Eingangskapazität 

Cies

 

 

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

 

239

 

 

 

 

NF

Ausgangskapazität 

Coes

 

20.9

 

Rückwärtsübertragungs-Kapazität 

Cres

 

9.24

 

Verzögerungszeit der Einleitung 

 

Die Daten sind nicht verfügbar.

 

 

 

 

 

 

 

 

VCC =900V, IC =3600A, RG =2.2Ω ,  VGE =±15V, Lσ=280nH, 

Tvj =   25 °C

 

1200

 

 

 

 

NS

Tvj = 125 °C

 

1500

 

Tvj = 150 °C

 

1600

 

Aufstiegszeit 

 

Tr

Tvj =   25 °C

 

1400

 

Tvj = 125 °C

 

1600

 

Tvj = 150 °C

 

1700

 

Verzögerungszeit für die Abschaltung 

 

Td (ausgeschaltet)

Tvj =   25 °C

 

3000

 

 

 

 

NS

Tvj = 125 °C

 

3500

 

Tvj = 150 °C

 

3700

 

Herbstzeit 

 

Tf

Tvj =   25 °C

 

500

 

Tvj = 125 °C

 

560

 

Tvj = 150 °C

 

620

 

Energieverlust beim Einschalten 

 

EON

Tvj =   25 °C

 

2700

 

 

m

Tvj = 125 °C

 

2900

 

Tvj = 150 °C

 

3200

 

Energieverlust beim Ausschalten 

 

EOFF

Tvj =   25 °C

 

3800

 

 

m

Tvj = 125 °C

 

4100

 

Tvj = 150 °C

 

4400

 

Kurzschlussstrom 

Schlechte

tpsc  ≤ 10μs, VGE =15V,   Tvj  = 125°C,VCC = 1200V

 

10000

 

a)

 

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