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4500V

4500V

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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.

IGBT-Modul,4500V 650A

Brand:
CRRC
Spu:
Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
  • Einführung
Einführung

Merkmale

  • SPT+Chip-Set für niedrige Schalt verluste
  • niedrig vCEsat
  • Niedrige Treiber Leistung
  • a)lSiC Grundplatte für hohe Leistung czyklische Fähigkeity
  • AlN Substrat für niedrigen thermischen Widerstand

Typische Anwendung

  • Traktionsantriebe
  • DC-Chopper
  • Hochspannungswechselrichter/-wandler

 

Maximale Nennwerte

Parameter/参数

Symbol/符号

Bedingungen/条件

Min

maximal

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter 集电极-发射极电压

vCES

vGE =0V,TVj ≥25°C

 

4500

v

DC-Kollektor Strom 集电极电流 (Zusammenfassung von elektrischem Strom)

Ichc

tc =80°C

 

650

a)

Spitzen-Kollektor Strom 集电极峰值电流

Ichcm

tp=1ms,Tc=80°C

 

1300

a)

Spannung des Tor-Emitters Gatetreiber-Emitter-Spannung

vGES

 

-20

20

v

Gesamtzahl Leistungsausfall Gesamtleistungsverlust

ptot

tc =25°C,perswitch(IGBT)

 

6670

w

DC Vorwärtsstrom Gleichstrom-Vorwärtsstrom

Ichf

 

 

650

a)

Spitzen-Vorwärtsstrom 峰值正向电流

IchFRM

TP=1 ms

 

1300

a)

- Die Welle. Strom Einschaltstrom

IchFSM

vR =0V,TVj =125°C,tp=10ms, Halbwelle

 

5300

a)

IGBT Kurzschluss SCHALTUNG SOA IGBT Kurzschluss-Sicherheitsarbeitsbereich

 

tpsc

 

vCc =3400V,VCEMCHIP≤4500V vGE ≤15V,Tvj≤125°C

 

 

10

 

μs

Isolationsspannung 绝缘电压

vIsolierung

1min, f=50Hz

 

10200

v

Junction-Temperatur 结温

tVj

 

 

150

°C

Junction-Betriebstemperaturerature Arbeitszeit

tvj(op)

 

-50

125

°C

Gehäusetemperatur 

tc

 

-50

125

°C

Lagertemperatur 

tstg

 

-50

125

°C

Montagedrehmomente Einrichtungstrom

ms

 

4

6

 

m

mt1

 

8

10

mt2

 

2

3

 

IGBT Charakteristische Werte

Parameter/参数

Symbol/符号

Bedingungen/条件

Min

Typ

maximal

Einheit

Sammler (- Emitter) Durchbruch Spannung

集电极-发射极阻断电压

 

v(BR)CES

vGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

 

4500

 

 

 

v

Sättigung des Sammler-Emitters Spannung

集电极-发射极饱和电压

 

vCEsat

Ichc =650A, vGE =15V

Tvj= 25°C

 

2.7

3.2

v

Tvj=125°C

 

3.4

3.8

v

Kollektor-Abschaltspannung Strom 集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms)

IchCES

vc =4500V, vGE =0V

Tvj= 25°C

 

 

10

- Ich weiß.

Tvj=125°C

 

 

100

- Ich weiß.

Tor Leckstrom 极漏电流 (极) 极leckstrom

IchGES

vc =0V,VGE =20V, tVj = 125°C

-500

 

500

- Nein.

Gate-Emitter Schwellenwertspannung Gatetreiber-Emitter-Schwellenwertspannung

vEG (Jahr)

Ichc =160mA,Vc =VGE- Ich weiß. tVj = 25°C

4.5

 

6.5

v

Tor Gebühr 极电荷

QG

Ichc =650A,Vc = 2800V, vGE =-15V - Ich weiß. 15 V

 

5.4

 

μC

Eingangskapazität Input-Kapazität

c- Nein.

 

 

vc =25V,VGE =0V,- Ich weiß.f=1MHz,TVj = 25°C

 

71.4

 

 

 

 

NF

Ausgangskapazität Ausgangsleistung

c- Die

 

4.82

 

Rückwärtsübertragungs-Kapazität Rückwärtsübertragungs-Kapazität

cAufnahme

 

1.28

 

Einschaltverzögerung Zeit 开通延迟时间

t(Das ist ein

 

 

 

 

vCc = 2800V,

Ichc =650A,

RG =2.2Oh - Ich weiß.

vGE =±15V,

Ich...σ=280nH,

感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)

Fernsehen =- Ich weiß.25 °c

 

420

 

 

 

NS

Fernsehen = 125 °c

 

528

 

Aufstiegszeit Aufstieg

tR

Fernsehen =- Ich weiß.25 °c

 

160

 

Fernsehen = 125 °c

 

190

 

Verzögerungszeit für die Abschaltung Ausschaltverzögerung

td(aus)

Fernsehen =- Ich weiß.25 °c

 

2100

 

 

 

NS

Fernsehen = 125 °c

 

2970

 

Herbstzeit - Ich bin nicht sicher.

tf

Fernsehen = 25 °c

 

1600

 

Fernsehen = 125 °c

 

2760

 

Einschaltsteuerung Energieverlust Einschaltverluste

eauf

Fernsehen = 25 °c

 

1000

 

m

Fernsehen =125 °c

 

1600

 

Ausschaltsteuerung Energieverlust Ausschaltverluste

eaus

Fernsehen = 25 °c

 

2000

 

m

Fernsehen =125 °c

 

2740

 

Kurzschluss Strom Kurzschlussstrom

IchSc

tpsc   10μs, VGE =15V,- Ich weiß.tvj  = 125°C,VCc = 3400V

 

3940

 

a)

 

Diodencharakteristikwerte

Parameter/参数

Symbol/符号

Bedingungen/条件

Min

Typ

maximal

Einheit

Durchlassspannung Vorwärts-Spannung

vf

Ichf =650A

Fernsehen = 25 °c

 

3.2

 

v

Fernsehen = 125 °c

 

3.6

 

Rückwärts Rückgewinnungsstrom Rückwärts-Wiederherstellungsstrom

IchRR

 

vCc = 2800V,

Ichc =650A,

RG =2.2Oh - Ich weiß.

vGE =±15V,

Ich...σ=280nH,

感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)

Fernsehen = 25 °c

 

1200

 

a)

Fernsehen = 125 °c

 

1300

 

a)

Wiederhergestellte Ladung 恢复电荷

QRR

Fernsehen = 25 °c

 

450

 

μC

Fernsehen = 125 °c

 

550

 

μC

Rückwärts Erholungszeit Rückwärts-Wiederherstellungszeit

tRR

Fernsehen = 25 °c

 

660

 

NS

Fernsehen = 125 °c

 

750

 

Rückwärts Energiewiederherstellung Rückwärts-Wiederherstellungsenergie

eErklärungen

Fernsehen =25 °c

 

720

 

m

Fernsehen = 125 °c

 

860

 

 

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