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YMIF400-33

IGBT-Modul, 3300V 400A

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF400-33
  • Einführung
Einführung

Merkmale

●SPT+Chip-Set für niedriges Schalten verluste

niedrig vCEsat

●Niedrigfahrt Leistung

●AlSiC Grundplatte für hohe Leistung czyklische Fähigkeity

●AlN-Substrat für geringe Wärme Widerstand

 

Typische Anwendung

●Zugantriebe

●Gleichstromwandler

●MittelspannungUmwandler

 

 

Maximale Nennwerte

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min

maximal

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

 

3300

v

DC Kollektorstrom

- Ich weiß.

TC =80°C

 

400

a)

Spitzenstrom des Kollektors

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

 

800

a)

Spannung des Tor-Emitters

VGES

 

-20

20

v

Gesamtleistungsverlust

Ptot

TC =25°C, pro Schalter (IGBT)

 

7100

w

DC Vorwärtsstrom

Wenn

 

 

400

a)

Spitzen-Vorwärtsstrom

IFRM

TP=1 ms

 

800

a)

Stromstoß

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, halbsinusschwingung

 

3000

a)

IGBT Kurzschluss SOA

tpsc

Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

 

10

μs

Isolationsspannung

Schnüren

1min, f=50Hz

 

10200

v

Junction-Temperatur

Fernsehen

 

 

150

°C

Junction-Betriebstemperatur

Tvj(op)

 

-50

150

°C

Gehäusetemperatur

tc

 

-50

125

°C

Lagertemperatur

Tstg

 

-50

125

°C

 

Montagedrehmomente

m

Basis-Heizwasserbereiter- Ich weiß.Schrauben für M6

4

6

 

 

m

Mt1

Hauptterminals- Ich weiß.Schrauben für M8

8

10

 

IGBT Charakteristische Werte

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min

Typ

maximal

Einheit

Abbruchspannung des Kollektors (Emittors)

V(BR)CES

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

3300

 

 

v

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VCEsat

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

Tvj= 25°C

 

3.0

 

v

Tvj=125°C

 

3.6

 

v

Kollektorabschaltstrom

ICES

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Tvj= 25°C

 

 

5

- Ich weiß.

Tvj=125°C

 

 

50

- Ich weiß.

Durchlässigkeit des Tores

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

 

500

- Nein.

Gate-Emitter Schwellenwertspannung

VGE(th)

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

5.5

 

7.5

v

Gate-Ladung

QG

Die Leistung wird durch die Anlage des Geräts ermittelt.

 

4.0

 

μC

Eingangskapazität

Cies

 

 

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

 

65

 

 

 

 

NF

Ausgangskapazität

Coes

 

3.7

 

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

Cres

 

0.8

 

Verzögerungszeit der Einleitung

Die Daten sind nicht verfügbar.

 

 

 

 

VCC = 1800 V,

IC = 400A,

RG = 2,3Ω,

VGE = ± 15 V,

Lσ=280nH,

感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)

Tvj =   25 °C

 

650

 

 

 

NS

Tvj = 125 °C

 

750

 

Aufstiegszeit

Tr

Tvj =   25 °C

 

400

 

Tvj = 125 °C

 

470

 

Verzögerungszeit für die Abschaltung

Td (ausgeschaltet)

Tvj =   25 °C

 

1600

 

 

 

NS

Tvj = 125 °C

 

1800

 

Herbstzeit

Tf

Tvj =   25 °C

 

1100

 

Tvj = 125 °C

 

1200

 

Energieverlust beim Einschalten

EON

Tvj =   25 °C

 

1400

 

m

Tvj = 125 °C

 

1800

 

Energieverlust beim Ausschalten

EOFF

Tvj =   25 °C

 

1300

 

m

Tvj = 125 °C

 

1700

 

Kurzschlussstrom

Schlechte

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

 

2500

 

a)

 

Diodencharakteristikwerte

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min

Typ

maximal

Einheit

Durchlassspannung

VF

IF = 400A

Tvj = 25 °C

 

2.3

2.6

v

Tvj = 125 °C

 

2.35

2.6

Rückwärts-Rückgewinnungsstrom

Einfach

 

VCC = 1800 V,

IC = 400A,

RG = 2,3Ω,

VGE = ± 15 V,

Lσ=280nH,

Tvj = 25 °C

 

900

 

a)

Tvj = 125 °C

 

1000

 

Wiederhergestellte Ladung

Qrr

Tvj = 25 °C

 

700

 

μC

Tvj = 125 °C

 

1000

 

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

trr

Tvj = 25 °C

 

850

 

NS

Tvj = 125 °C

 

2200

 

Rückwärtsrekuperationsenergie

Erek

Tvj = 25 °C

 

850

 

m

Tvj = 125 °C

 

1300

 

 

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