Y50KFG, Nicht symmetrischer Schnellabschalt-Thyristor

Schnelles Abschalten

Y50KFG, Nicht symmetrischer Schnellabschalt-Thyristor

Teilenr. Y50KFG-KT50cT

Brand:

TECHSEM

Spu:

Y50KFG-KT50cT

Appurtenance:

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Einführung
Umriss

Einführung

IchT(AV)	1200a)
vDRM	2000V~3000V
vRRM	1000V~2500V
tQ	20~75µs

Merkmale

Ausgezeichnete dynamische Eigenschaften
Schnelles Einschalten und hohe di/dt
Niedrige Schaltverluste

typische Anwendungen

Entwurf für Anwendungen mit Wechselrichterversorgung

Symbol	Eigenschaft	Prüfbedingungen			tj(℃)	Wert			Einheit
Symbol	Eigenschaft	Prüfbedingungen			tj(℃)	Min	Typ	maximal	Einheit
Icht(von)	Mittlerer Einschaltstrom	180。halbe Sinuswelle 50Hz Doppelseitig gekühlt,		tc=55℃	125			1200	a)
Icht(von)	Mittlerer Einschaltstrom	180。halbe Sinuswelle 50Hz Doppelseitig gekühlt,		tc=70℃	125			1000	a)
vDRM	Repetitive Spitzenausschaltspannung	tp=10ms			125	2000		3000	v
vRRM	Repetitive Spitzenrückwärtsspannung	tp=10ms			125	1000		2500	v
IchDRM/IRRM	Repetitive Spitzenstrom	bei VDRM/VRRM			125			80	- Ich weiß.
IchTSM	Überschuss-Einschaltstrom	10ms halbe Sinus WellevR=0.6vRRM			125			16	Ka
Ich2t	Ich2t für Vermischung Koordination	10ms halbe Sinus WellevR=0.6vRRM			125			1280	103a)2s
vzu	Schwellenspannung				125			1.55	v
Rt	Einschaltsteigungswiderstand				125			0.40	mΩ
vs	Spitzeneinschaltspannung	Ichs=3000A, F=24kN	20≤Tq≤35		25			2.80	v
			36≤Tq≤60					2.60	v
			61≤Tq≤75					2.40	v
dv/dt	Kritische Anstiegsrate des Ausschaltzustands Spannung	vdm=0.67vDRM			125			1000	V/μs
di/dt	Kritische Anstiegsrate des Einschaltzustands Strom (Nicht-wiederholend)	vdm= 67%vDRM zu 1600A, Gate-Puls tR ≤0.5μs IchGM=1.5A			125			1500	A/μs
QRR	Einziehungsgebühr	Ichs=1000A ,tp=4000µs, di/dt=-20A/µs,vR=100V			125		750		μC
Tq	Schaltungskommutierte Abschaltzeit	Ichs=1000A ,tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs , di/dt=-20A/µs			100	20		75	μs
Ichgt	Gate-Auslöseström	va)=12V, Icha)=1A			25	40		300	- Ich weiß.
vgt	Gate-Auslösespannung					0.9		3.0	v
Ichh	Haltestrom					20		500	- Ich weiß.
IchIch...	Haltestrom							500	- Ich weiß.
vGD	Nicht-auslösende Gate-Spannung	vdm=67%vDRM			125			0.3	v
RDie(j-c)	Wärme Widerstand Verbindung von Halbleiter zu Gehäuse	Doppelseitige gekühlt- Das ist nicht wahr.Klemmkraft 24kN						0.020	°C /W
RDie(c-h)	Wärme Widerstand Gehäuse zu Heizkessel	Doppelseitige gekühlt- Das ist nicht wahr.Klemmkraft 24kN						0.005	°C /W
fm	Montagekraft					19		26	kn
tVj	Junction-Temperatur					-40		125	°C
tstg	Lagertemperatur					-40		140	°C
wt	Gewicht						440		G
Umriss	KT50cT