Y50KFG, Nicht symmetrischer Schnellabschalt-Thyristor

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

t j (℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

I t (AV )

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz Doppelseitig gekühlt,

t C =55℃

125

1200

Ein

t C =70℃

125

1000

Ein

V DRM

Repetitive Spitzenausschaltspannung

tp=10ms

125

2000

3000

V

V RRM

Repetitive Spitzenrückwärtsspannung

1000

2500

I DRM /IRRM

Repetitive Spitzenstrom

bei V DRM /VRRM

125

80

mA

I TSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinus Welle V R =0.6 V RRM

125

16

kA

I 2t

I 2t für Ver fusion Koordination

1280

103Ein 2s

V Um

Schwellenspannung

125

1.55

V

R t

Einschaltsteigungswiderstand

0.40

mΩ

V TM

Spitzeneinschaltspannung

I TM =3000A, F=24kN

20≤ Tq ≤ 35

25

2.80

V

36≤ Tq ≤ 60

2.60

V

61≤ Tq ≤ 75

2.40

V

dv/dt

Kritische Anstiegsrate des Ausschaltzustands Spannung

V dm =0.67 V DRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltzustands Aktuell (Nicht-wiederholend)

V dm = 67% V DRM Um 1600A,

Gate-Puls t R ≤0.5μs I GM =1.5A

125

1500

A/μs

Q RR

Einziehungsgebühr

I TM =1000A ,tp=4000µs, di/ dt=-20A/µs, V R =100V

125

750

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

I TM =1000A ,tp=4000µs, V R =100V dv/dt=30V/µs , di/dt=-20A/µs

100

20

75

μs

I GT

Gate-Auslöseström

V Ein =12V, I Ein =1A

25

40

300

mA

V GT

Gate-Auslösespannung

0.9

3.0

V

I H

Haltestrom

20

500

mA

I L

Haltestrom

500

mA

V GD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

V dm =67% V DRM

125

0.3

V

R th (j-c)

Thermal Widerstand Verbindung von Halbleiter zu Gehäuse

doppelte Seite gekühlt Klemmkraft 24kN

0.020

℃ /W

R th (c-h)

Thermal Widerstand Gehäuse zu Wärmeableiter

0.005

F m

Montagekraft

19

26

kN

t Vj

Junction-Temperatur

-40

125

℃

t stg

Lagertemperatur

-40

140

℃

W t

Gewicht

440

g

Gliederung

KT50cT