IGBT-Modul 1700V

(Symbol)

(Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Wert)

(Einheit)

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

v

V GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Sammler-Emitterstrom

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

Ein

I C ((PK)

Spitzenstrom des Kollektors

tP = 1 ms

4800

Ein

P max

Max. Transistor-Leistungsdissipation

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

19.2

kW

1t

Diode I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Schnüren

Isolationsspannung pro Modul

(Gemeinsame Endpunkte zur Unterplatte)

AC RMS,1 min, 50Hz

4000

v

Q PD

Teilweise Entladung pro Modul

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

PC

Tfall = 25 °C Tfall = 25 °C, sofern nicht anders angegeben

(Symbol)

(Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Min)

(typisch)

(Max)

(Einheit)

I CES

Sammler-Abschlusstrom

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES, T-Fall = 125 °C

40

mA

V GE = 0V, VCE = VCES, T-Fall = 150 °C

60

mA

I GES

Durchlässigkeit des Tores

V GE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

V GE (TH)

Schrankschwellenspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

5.0

6.0

7.0

v

VCE (Sat)

Sättigung des Sammler-Emitters

Spannung

VGE =15V, IC = 2400A

1.75

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

1.95

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

2.05

v

I F

Diodenvorwärtsstrom

DC

2400

Ein

I FRM

Diode maximale Vorwärtsstrom

t P = 1ms

4800

Ein

VF(*1)

Diodenvorwärtsspannung

IF = 2400A

1.65

v

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

1.75

v

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

1.75

v

Cies

Eingangskapazität

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

400

NF

QG

Gate-Ladung

±15V

19

μC

Cres

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

3

NF

L M

Modulinduktivität

10

nH

R INT

Interne Transistorwiderstand

110

μΩ

I SC

Kurzschlussstrom, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

Ein

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2320

NS

t f

Herbstzeit

500

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

1050

mJ

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

450

NS

Tr

Aufstiegszeit

210

NS

EON

Einschaltenergieverlust

410

mJ

Qrr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

480

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

1000

Ein

Erek

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

320

mJ

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

NS

t f

Herbstzeit

510

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

1320

mJ

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

450

NS

Tr

Aufstiegszeit

220

NS

EON

Einschaltenergieverlust

660

mJ

Qrr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

750

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

1200

Ein

Erek

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

550

mJ

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

NS

t f

Herbstzeit

510

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

1400

mJ

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

450

NS

Tr

Aufstiegszeit

220

NS

EON

Einschaltenergieverlust

820

mJ

Qrr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

820

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

1250

Ein

Erek

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

620

mJ