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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.

IGBT-Modul, 3300V 1200A,

Brand:
CRRC
Spu:
Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
  • Einführung
Einführung

Merkmale

  • SPT+Chip-Set für ultra niedrige Schaltverluste
  • Niedrige VCE sat
  • Niedrige Ansteuermacht
  • AlSiC-Basisplatte für hohe Leistungszyklusfähigkeit
  • AlN Substrat für niedrigen thermischen Widerstand

 

Typische Anwendung

  • Zugkraftantriebe
  • DC-Chopper
  • Mittelspannungswechselrichter/-wandler
  • Mittelspannungs-USV-System
  • Windkraftsystem

 

Maximale Nennwerte

Parameter

Symbol

Bedingungen

min

mAchse

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

VCES

VGE=0V,Tvj≥25°C

 

3300

v

dc Kollektorstrom

- Ich weiß.

TC  =80 °C

 

1200

a)

Spitzenstrom des Kollektors

ICM

tp =1ms,Tc=80°C

 

2400

a)

Gate-Emitter-Spannung

VGE

 

-20

20

v

Gesamtleistungsverlust

Ptot

TC =25°C, pro Schalter (IGBT)

 

10500

w

DC Vorwärtsstrom

Wenn

 

 

1200

a)

Spitzen-Vorwärtsstrom

IFRM

tp  = 1 ms

 

2400

a)

Stromstoß

IFSM

VR = 0 V, Tvj  = 125 °C,

tp  = 10 ms, halbe Sinuswelle

 

9000

a)

IGBT Kurzschluss SOA

tpsc

VCC = 2500 V, VCEM CHIP  ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C

 

10

μs

Isolationsspannung

Schnüren

1 min, f = 50 Hz

 

10200

v

Junction-Temperatur

Fernsehen

 

 

150

°c

Junction-Betriebstemperatur

Tvj(op)

 

-50

125

°c

Gehäusetemperatur

tc

 

-50

125

°c

Lagertemperatur

Tstg

 

-50

125

°c

 

Montagedrehmomente

M s

Basis-Kühlkörper, M6-Schrauben

4

6

 

m

Mt1

Hauptanschlüsse, M8-Schrauben ,

8

10

Mt2

Hilfsanschlüsse, M6-Schrauben

2

3

 

IGBT-Eigenschaft

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min

Typ

maximal

Einheit

Kollektor (-Emitter) Durchbruchspannung

V(BR)CES

VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C

 

3300

 

 

 

v

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

 

VCE sat

 

C = 1200  A, VGE= 15 V

Tvj=25°C

 

3.1

3.4

v

Tvj=125°C

 

3.8

4.3

v

Kollektorabschaltstrom

ICES

 

VCE = 3300 V, VGE = 0 V

Tvj=25°C

 

 

12

- Ich weiß.

Tvj=125°C

 

 

120

- Ich weiß.

Durchlässigkeit des Tores

IGES

 

VCE = 0 V, VGE  = ± 20 V, Tvj  =125 °C

-500

 

500

 

- Nein.

Gate-Emitter Schwellenwertspannung

VGE(th)

IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C

5.5

 

7.5

v

Gate-Ladung

QG

IC =1200 A    VCE =1800V    VGE = -15V ..15  V

 

12.1

 

μC

Eingangskapazität

Cies

 

VCE = 25 V, V GE  = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C

 

187

 

NF

Ausgangskapazität

Coes

 

11.57

 

NF

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

Cres

 

2.22

 

NF

Verzögerungszeit der Einleitung

 

Die Daten sind nicht verfügbar.

 

 

 

 

 

VCC  = 1800 V, IC   = 1200A,

RG  = 3.9Ω ,VGE  =±15V

L σ = 280nH, induktive Last

Tvj=25°C

 

750

 

NS

Tvj=125°C

 

750

 

NS

Aufstiegszeit

Tr

Tvj=25°C

 

400

 

NS

Tvj=125°C

 

470

 

NS

Verzögerungszeit für die Abschaltung

Td (ausgeschaltet)

Tvj=25°C

 

1600

 

NS

Tvj=125°C

 

1800

 

NS

Herbstzeit

Tf

Tvj=25°C

 

1100

 

NS

Tvj=125°C

 

1200

 

NS

Einschaltverluste

 

EON

Tvj=25°C

 

1400

 

m

Tvj=125°C

 

1800

 

m

Energieverlust beim Ausschalten

 

EOFF

Tvj=25°C

 

1300

 

m

Tvj=125°C

 

1700

 

m

Kurzschlussstrom

 

Schlechte

VCC  = 2500 V, VGE  = 15V, L σ = 280nH, induktive Last

 

 

5000

 

 

a)

 

Diodeneigenschaft

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min

Typ

maximal

Einheit

Durchlassspannung

 

VF

IF  = 1200 A

Tvj = 25 °C

 

2.3

2.6

v

Tvj = 125 °C

 

2.35

2.6

v

Rückwärts-Rückgewinnungsstrom

 

Einfach

 

 

 

VCC= 1800 V, IC= 1200 A,

RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH, induktive Last

Tvj = 25 °C

 

900

 

a)

Tvj = 125 °C

 

1000

 

a)

Wiederhergestellte Ladung

 

Qrr

Tvj = 25 °C

 

700

 

μC

Tvj = 125 °C

 

1000

 

μC

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

 

trr

Tvj = 25 °C

 

850

 

NS

Tvj = 125 °C

 

2200

 

NS

Rückwärtsrekuperationsenergie

 

Erek

Tvj = 25 °C

 

850

 

m

Tvj = 125 °C

 

1300

 

m

 

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