IGBT-Modul, 3300V 1200A,
Merkmale
Typische Anwendung
Maximale Nennwerte
Parameter |
Symbol |
Bedingungen |
min |
mAchse |
Einheit |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
VCES |
VGE=0V,Tvj≥25°C |
|
3300 |
v |
dc Kollektorstrom |
- Ich weiß. |
TC =80 °C |
|
1200 |
a) |
Spitzenstrom des Kollektors |
ICM |
tp =1ms,Tc=80°C |
|
2400 |
a) |
Gate-Emitter-Spannung |
VGE |
|
-20 |
20 |
v |
Gesamtleistungsverlust |
Ptot |
TC =25°C, pro Schalter (IGBT) |
|
10500 |
w |
DC Vorwärtsstrom |
Wenn |
|
|
1200 |
a) |
Spitzen-Vorwärtsstrom |
IFRM |
tp = 1 ms |
|
2400 |
a) |
Stromstoß |
IFSM |
VR = 0 V, Tvj = 125 °C, tp = 10 ms, halbe Sinuswelle |
|
9000 |
a) |
IGBT Kurzschluss SOA |
tpsc |
VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C |
|
10 |
μs |
Isolationsspannung |
Schnüren |
1 min, f = 50 Hz |
|
10200 |
v |
Junction-Temperatur |
Fernsehen |
|
|
150 |
°c |
Junction-Betriebstemperatur |
Tvj(op) |
|
-50 |
125 |
°c |
Gehäusetemperatur |
tc |
|
-50 |
125 |
°c |
Lagertemperatur |
Tstg |
|
-50 |
125 |
°c |
Montagedrehmomente |
M s |
Basis-Kühlkörper, M6-Schrauben |
4 |
6 |
m |
Mt1 |
Hauptanschlüsse, M8-Schrauben , |
8 |
10 |
||
Mt2 |
Hilfsanschlüsse, M6-Schrauben |
2 |
3 |
IGBT-Eigenschaft
Parameter |
Symbol |
Bedingungen |
Min |
Typ |
maximal |
Einheit |
|
Kollektor (-Emitter) Durchbruchspannung |
V(BR)CES |
VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C
|
3300 |
|
|
v |
|
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung |
VCE sat |
C = 1200 A, VGE= 15 V |
Tvj=25°C |
|
3.1 |
3.4 |
v |
Tvj=125°C |
|
3.8 |
4.3 |
v |
|||
Kollektorabschaltstrom |
ICES |
VCE = 3300 V, VGE = 0 V |
Tvj=25°C |
|
|
12 |
- Ich weiß. |
Tvj=125°C |
|
|
120 |
- Ich weiß. |
|||
Durchlässigkeit des Tores |
IGES |
VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj =125 °C |
-500 |
|
500 |
- Nein. |
|
Gate-Emitter Schwellenwertspannung |
VGE(th) |
IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C |
5.5 |
|
7.5 |
v |
|
Gate-Ladung |
QG |
IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 V |
|
12.1 |
|
μC |
|
Eingangskapazität |
Cies |
VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C |
|
187 |
|
NF |
|
Ausgangskapazität |
Coes |
|
11.57 |
|
NF |
||
Rückwärtsübertragungs-Kapazität |
Cres |
|
2.22 |
|
NF |
||
Verzögerungszeit der Einleitung |
Die Daten sind nicht verfügbar. |
VCC = 1800 V, IC = 1200A, RG = 3.9Ω ,VGE =±15V L σ = 280nH, induktive Last |
Tvj=25°C |
|
750 |
|
NS |
Tvj=125°C |
|
750 |
|
NS |
|||
Aufstiegszeit |
Tr |
Tvj=25°C |
|
400 |
|
NS |
|
Tvj=125°C |
|
470 |
|
NS |
|||
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
Td (ausgeschaltet) |
Tvj=25°C |
|
1600 |
|
NS |
|
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
NS |
|||
Herbstzeit |
Tf |
||||||
Tvj=25°C |
|
1100 |
|
NS |
|||
Tvj=125°C |
|
1200 |
|
NS |
|||
Einschaltverluste |
EON |
Tvj=25°C |
|
1400 |
|
m |
|
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
m |
|||
Energieverlust beim Ausschalten |
EOFF |
Tvj=25°C |
|
1300 |
|
m |
|
Tvj=125°C |
|
1700 |
|
m |
|||
Kurzschlussstrom |
Schlechte |
VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, induktive Last |
|
5000 |
|
a) |
Diodeneigenschaft
Parameter |
Symbol |
Bedingungen |
Min |
Typ |
maximal |
Einheit |
|
Durchlassspannung |
VF |
IF = 1200 A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
v |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
v |
|||
Rückwärts-Rückgewinnungsstrom |
Einfach |
VCC= 1800 V, IC= 1200 A, RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH, induktive Last |
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
a) |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
a) |
|||
Wiederhergestellte Ladung |
Qrr |
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
μC |
|
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
μC |
|||
Rückwärts-Rückgewinnungszeit |
trr |
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
NS |
|
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
NS |
|||
Rückwärtsrekuperationsenergie |
Erek |
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
m |
|
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
m |
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