IGBT-Modul，3300V 1000A
Schlüssel Parameter
|
vCES |
3300 v |
|
vc(gesetzt) |
(typisch) 2.40 v |
|
Ichc |
(maximal) 1000 a) |
|
IchC(Rm) |
(maximal) 2000 a) |
typische Anwendungen
typische Anwendungen
Absolute Höchstbewertung
|
(Symbol) |
(Parameter) |
(Prüfbedingungen) |
(Wert) |
(Einheit) |
|
VCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
3300 |
v |
|
VGES |
Spannung des Tor-Emitters |
TC= 25 °C |
± 20 |
v |
|
I C |
Sammler-Emitterstrom |
TC = 95 °C |
1000 |
a) |
|
IC(PK) |
Spitzenstrom des Kollektors |
t P= 1ms |
2000 |
a) |
|
P max |
Max. Transistorenleistungsabbau |
Tvj = 150°C, TC = 25 °C |
10.4 |
kW |
|
1t |
Diode I2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
320 |
kA2s |
|
Schnüren |
Isolationsspannung pro Modul |
Gemeinsame Anschlüsse zur Grundplatte), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C |
6000 |
v |
|
Q PD |
Teilweise Entladung pro Modul |
IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C |
10 |
PC |
Elektrische Eigenschaften
|
(Symbol) |
(Parameter) |
(Prüfbedingungen) |
(min) |
(typisch) |
(maximal) |
(Einheit) |
|
|
I CES |
Sammler-Abschlusstrom |
VGE = 0V,VCE = VCES |
|
|
1 |
- Ich weiß. |
|
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C |
|
|
60 |
- Ich weiß. |
|||
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C |
|
|
100 |
- Ich weiß. |
|||
|
I GES |
Durchlässigkeit des Tores |
VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
1 |
μA |
|
|
VGE (TH) |
Schrankschwellenspannung |
I C= 80mA, VGE= VCE |
5.50 |
6.10 |
7.00 |
v |
|
|
VCE |
(*1) (sat) |
Sättigung des Sammler-Emitters Spannung |
VGE= 15V, I C= 1000A |
|
2.40 |
2.90 |
v |
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C |
|
2.95 |
3.40 |
v |
|||
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C |
|
3.10 |
3.60 |
v |
|||
|
I F |
Diodenvorwärtsstrom |
dc |
|
1000 |
|
a) |
|
|
I FRM |
Diode maximale Vorwärtsstrom |
t P = 1ms |
|
2000 |
|
a) |
|
|
VF(*1) |
Diodenvorwärtsspannung |
I F= 1000A |
|
2.10 |
2.60 |
v |
|
|
I F= 1000A, Tvj= 125 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
I F= 1000A, Tvj= 150 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
C ies |
Eingangskapazität |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
170 |
|
NF |
|
|
Q g |
Gate-Ladung |
±15V |
|
17 |
|
μC |
|
|
C res |
Rückwärtsübertragungs-Kapazität |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
4 |
|
NF |
|
|
L M |
Modulinduktivität |
|
|
15 |
|
- Nein. |
|
|
R INT |
Interne Transistorwiderstand |
|
|
165 |
|
μΩ |
|
|
I SC |
Kurzschlussstrom, ISC |
Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
|
3900 |
|
a) |
|
|
Td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
|
1800 |
|
NS |
|
t f |
Fallzeit |
|
530 |
|
NS |
|
|
E OFF |
Energieverlust bei Abschaltung |
|
1600 |
|
m |
|
|
Die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
|
680 |
|
NS |
|
|
t r |
Aufstiegszeit |
|
320 |
|
NS |
|
|
EON |
Einschaltenergieverlust |
|
1240 |
|
m |
|
|
Q rr |
Diode Rückwärtswiederherstellungsladung |
I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us |
|
780 |
|
μC |
|
I rr |
Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom |
|
810 |
|
a) |
|
|
E rec |
Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie |
|
980 |
|
m |
|
|
Td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
|
1940 |
|
NS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
580 |
|
NS |
|
|
E OFF |
Energieverlust bei Abschaltung |
|
1950 |
|
m |
|
|
Die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
|
660 |
|
NS |
|
|
t r |
Aufstiegszeit |
|
340 |
|
NS |
|
|
EON |
Einschaltenergieverlust |
|
1600 |
|
m |
|
|
Q rr |
Diode Rückwärtswiederherstellungsladung |
I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us |
|
1200 |
|
μC |
|
I rr |
Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom |
|
930 |
|
a) |
Unser professionelles Verkaufsteam wartet auf Ihre Beratung.
Sie können ihre Produktliste verfolgen und Fragen stellen, die Sie interessieren.
EN
