IGBT-Modul, 3300V 250A
Schlüsselparameter
VCES |
3300 v |
VCE (Sat) - Das ist typisch. |
2.5 v |
- Ich weiß. - Maximal. |
250 a) |
IC ((RM) - Maximal. |
500 a) |
typische Anwendungen
Merkmale
Absolute Höchstmenge Ratin- und n-g
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Wert |
Einheit |
VCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
3300 |
v |
VGES |
Spannung des Tor-Emitters |
TC= 25 °C |
± 20 |
v |
- Ich weiß. |
Sammler-Emitterstrom |
TC = 100 °C |
250 |
a) |
IC(PK) |
Spitzenstrom des Kollektors |
TP=1 ms |
500 |
a) |
Pmax |
Max. Transistorenleistungsabbau |
Tvj = 150 °C, TC = 25 °C |
2.6 |
kW |
1 t |
Diode I2t |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
20 |
kA2s |
Schnüren |
Isolationsspannung - pro Modul |
(Gemeinsame Endgeräte zur Basisplatte), AC RMS,1 min, 50 Hz, TC= 25 °C |
6 |
KV |
QPD |
Teilweise Entladung - pro Modul |
Die Größe der Verpackung ist: V1=6900V, V2=5100V, 50Hz RMS |
10 |
PC |
elektrische Eigenschaften
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
||
ICES |
Sammler-Abschlusstrom |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel. |
|
|
1 |
- Ich weiß. |
||
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
|
|
15 |
- Ich weiß. |
||||
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
|
|
25 |
- Ich weiß. |
||||
IGES |
Durchlässigkeit des Tores |
Die Prüfungen sind in Anhang I Abschnitt 3 zu prüfen. |
|
|
1 |
μA |
||
VGE (TH) |
Schrankschwellenspannung |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
5.5 |
6.1 |
7.0 |
v |
||
VCE (Sat) |
Sättigung des Sammler-Emitters Spannung |
Die Prüfungen sind in Anhang I zu prüfen. |
|
2.50 |
2.80 |
v |
||
Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen. |
|
3.15 |
3.45 |
v |
||||
Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen. |
|
3.30 |
3.60 |
v |
||||
Wenn |
Diodenvorwärtsstrom |
dc |
|
250 |
|
a) |
||
IFRM |
Dioden-Spitzenstrom nach vorne |
tP = 1 ms |
|
500 |
|
a) |
||
VF(*1) |
Diodenvorwärtsspannung |
Wenn = 250A, VGE = 0 |
|
2.10 |
2.40 |
v |
||
Wenn die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A ist, muss die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A sein. |
|
2.25 |
2.55 |
v |
||||
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
|
2.25 |
2.55 |
v |
||||
Schlechte |
Kurzschlussstrom |
Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Die in Absatz 1 genannten Daten sind für die einzelnen Prüfungen zu verwenden. |
|
900 |
|
a) |
||
ICES |
Sammler-Abschlusstrom |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel. |
|
|
1 |
- Ich weiß. |
||
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
|
|
15 |
- Ich weiß. |
||||
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
|
|
25 |
- Ich weiß. |
||||
IGES |
Durchlässigkeit des Tores |
Die Prüfungen sind in Anhang I Abschnitt 3 zu prüfen. |
|
|
1 |
μA |
||
VGE (TH) |
Schrankschwellenspannung |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
5.5 |
6.1 |
7.0 |
v |
||
VCE (Sat) |
Sättigung des Sammler-Emitters Spannung |
Die Prüfungen sind in Anhang I zu prüfen. |
|
2.50 |
2.80 |
v |
||
Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen. |
|
3.15 |
3.45 |
v |
||||
Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen. |
|
3.30 |
3.60 |
v |
||||
Wenn |
Diodenvorwärtsstrom |
dc |
|
250 |
|
a) |
||
IFRM |
Dioden-Spitzenstrom nach vorne |
tP = 1 ms |
|
500 |
|
a) |
||
VF(*1) |
Diodenvorwärtsspannung |
Wenn = 250A, VGE = 0 |
|
2.10 |
2.40 |
v |
||
Wenn die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A ist, muss die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A sein. |
|
2.25 |
2.55 |
v |
||||
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
|
2.25 |
2.55 |
v |
||||
Schlechte |
Kurzschlussstrom |
Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Die in Absatz 1 genannten Daten sind für die einzelnen Prüfungen zu verwenden. |
|
900 |
|
a) |
||
td ((aus) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
Ichc = 250 A, vc = mit einer Leistung von mehr als 50 W- Ich weiß.vGE =- Ich weiß.±15 V,- Ich weiß.RG ((OFF) = 9.0Ω - Ich weiß. cGE = 56nF, Ich...s = 150nH, |
tVj= 25 °c |
|
1480 |
|
NS |
|
tVj= 125 °c |
|
1550 |
|
|||||
tVj= 150 °c |
|
1570 |
|
|||||
tf |
Herbstzeit |
tVj= 25 °c |
|
1280 |
|
NS |
||
tVj= 125 °c |
|
1920 |
|
|||||
tVj= 150 °c |
|
2120 |
|
|||||
eaus |
Energieverlust bei Abschaltung |
tVj= 25 °c |
|
300 |
|
m |
||
tVj= 125 °c |
|
380 |
|
|||||
tVj= 150 °c |
|
400 |
|
|||||
t(Das ist ein |
Verzögerungszeit der Einleitung |
Ichc = 250 A, vc = mit einer Leistung von mehr als 50 W- Ich weiß.vGE =- Ich weiß.±15 V,- Ich weiß.RG ((ON) = 6,0Ω - Ich weiß. cGE = 56nF, Ich...s = 150nH, |
tVj= 25 °c |
|
640 |
|
NS |
|
tVj= 125 °c |
|
650 |
|
|||||
tVj= 150 °c |
|
650 |
|
|||||
tR |
Aufstiegszeit |
tVj= 25 °c |
|
220 |
|
NS |
||
tVj= 125 °c |
|
235 |
|
|||||
tVj= 150 °c |
|
238 |
|
|||||
eauf |
Schaltenergie Verlust |
tVj= 25 °c |
|
395 |
|
m |
||
tVj= 125 °c |
|
510 |
|
|||||
tVj= 150 °c |
|
565 |
|
|||||
QRR |
Diode Rückwärts Einziehungsgebühr |
Ichf = 250 A, vc = mit einer Leistung von mehr als 50 W - Das ist...Ichf/dt = 1200 A/US, (tVj= 125 c) |
tVj= 25 °c |
|
190 |
|
μC |
|
tVj= 125 °c |
|
295 |
|
|||||
tVj= 150 °c |
|
335 |
|
|||||
IchRR |
Diode Rückwärts Rückgewinnungsstrom |
tVj= 25 °c |
|
185 |
|
a) |
||
tVj= 125 °c |
|
210 |
|
|||||
tVj= 150 °c |
|
216 |
|
|||||
eErklärungen |
Diode Rückwärts Energiewiederherstellung |
tVj= 25 °c |
|
223 |
|
m |
||
tVj= 125 °c |
|
360 |
|
|||||
tVj= 150 °c |
|
410 |
|
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