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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden nicht geändert.

IGBT-Modul, 3300V 250A

Brand:
CRRC
Spu:
YMIBH250-33/
  • Einführung
Einführung

Schlüsselparameter

VCES

3300 v

VCE (Sat) - Das ist typisch.

2.5 v

- Ich weiß. - Maximal.

250 a)

IC ((RM) - Maximal.

500 a)

 

typische Anwendungen

  • Traktionshilfen
  • Motorsteuerungen
  • Helikopter
  • Hochverlässlicher Wechselrichter

 

Merkmale

  • AISiC Ausfallplatte
  • AIN-Substrate
  • Hohe Wärmezyklusfähigkeit
  • 10 μs Kurzschluss-Widerstand

 

Absolute Höchstmenge Ratin- und n-g

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Wert

Einheit

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

3300

v

VGES

Spannung des Tor-Emitters

TC= 25 °C

± 20

v

- Ich weiß.

Sammler-Emitterstrom

TC = 100 °C

250

a)

IC(PK)

Spitzenstrom des Kollektors

TP=1 ms

500

a)

Pmax

Max. Transistorenleistungsabbau

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

2.6

kW

1 t

Diode I2t

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

20

kA2s

 

Schnüren

Isolationsspannung - pro Modul

(Gemeinsame Endgeräte zur Basisplatte), AC RMS,1 min, 50 Hz, TC= 25 °C

 

6

 

KV

 

QPD

Teilweise Entladung - pro Modul

 

Die Größe der Verpackung ist: V1=6900V, V2=5100V, 50Hz RMS

 

10

 

PC

 

 elektrische Eigenschaften

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

 

 

 

ICES

 

 

Sammler-Abschlusstrom

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

 

 

1

- Ich weiß.

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

 

 

15

- Ich weiß.

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

 

 

25

- Ich weiß.

IGES

Durchlässigkeit des Tores

Die Prüfungen sind in Anhang I Abschnitt 3 zu prüfen.

 

 

1

μA

VGE (TH)

Schrankschwellenspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

5.5

6.1

7.0

v

 

 

VCE (Sat)

 

 

Sättigung des Sammler-Emitters Spannung

Die Prüfungen sind in Anhang I zu prüfen.

 

2.50

2.80

v

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

 

3.15

3.45

v

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

 

3.30

3.60

v

Wenn

Diodenvorwärtsstrom

dc

 

250

 

a)

IFRM

Dioden-Spitzenstrom nach vorne

tP = 1 ms

 

500

 

a)

 

 

VF(*1)

 

 

Diodenvorwärtsspannung

Wenn = 250A, VGE = 0

 

2.10

2.40

v

Wenn die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A ist, muss die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A sein.

 

2.25

2.55

v

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

 

2.25

2.55

v

 

Schlechte

Kurzschlussstrom

Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der

Die in Absatz 1 genannten Daten sind für die einzelnen Prüfungen zu verwenden.

 

 

900

 

 

a)

 

 

 

ICES

 

 

Sammler-Abschlusstrom

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

 

 

1

- Ich weiß.

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

 

 

15

- Ich weiß.

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

 

 

25

- Ich weiß.

IGES

Durchlässigkeit des Tores

Die Prüfungen sind in Anhang I Abschnitt 3 zu prüfen.

 

 

1

μA

VGE (TH)

Schrankschwellenspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

5.5

6.1

7.0

v

 

 

VCE (Sat)

 

 

Sättigung des Sammler-Emitters

Spannung

Die Prüfungen sind in Anhang I zu prüfen.

 

2.50

2.80

v

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

 

3.15

3.45

v

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

 

3.30

3.60

v

Wenn

Diodenvorwärtsstrom

dc

 

250

 

a)

IFRM

Dioden-Spitzenstrom nach vorne

tP = 1 ms

 

500

 

a)

 

 

VF(*1)

 

 

Diodenvorwärtsspannung

Wenn = 250A, VGE = 0

 

2.10

2.40

v

Wenn die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A ist, muss die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A sein.

 

2.25

2.55

v

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

 

2.25

2.55

v

 

Schlechte

 

Kurzschlussstrom

Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der

Die in Absatz 1 genannten Daten sind für die einzelnen Prüfungen zu verwenden.

 

 

900

 

 

a)

 

td ((aus)

 

Verzögerungszeit für die Abschaltung

 

 

 

Ichc = 250 A,

vc = mit einer Leistung von mehr als 50 W- Ich weiß.vGE =- Ich weiß.±15 V,- Ich weiß.RG ((OFF) = 9.0Ω - Ich weiß. cGE = 56nF,

Ich...s = 150nH,

tVj= 25 °c

 

1480

 

 

NS

tVj= 125 °c

 

1550

 

tVj= 150 °c

 

1570

 

 

tf

 

Herbstzeit

tVj= 25 °c

 

1280

 

 

NS

tVj= 125 °c

 

1920

 

tVj= 150 °c

 

2120

 

 

eaus

 

Energieverlust bei Abschaltung

tVj= 25 °c

 

300

 

 

m

tVj= 125 °c

 

380

 

tVj= 150 °c

 

400

 

 

t(Das ist ein

 

Verzögerungszeit der Einleitung

 

 

 

Ichc = 250 A,

vc = mit einer Leistung von mehr als 50 W- Ich weiß.vGE =- Ich weiß.±15 V,- Ich weiß.RG ((ON) = 6,0Ω - Ich weiß. cGE = 56nF,

Ich...s = 150nH,

tVj= 25 °c

 

640

 

 

NS

tVj= 125 °c

 

650

tVj= 150 °c

 

650

 

tR

 

Aufstiegszeit

tVj= 25 °c

 

220

 

 

NS

tVj= 125 °c

 

235

tVj= 150 °c

 

238

 

eauf

 

Schaltenergie Verlust

tVj= 25 °c

 

395

 

 

m

tVj= 125 °c

 

510

 

tVj= 150 °c

 

565

 

 

QRR

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

 

 

 

 

Ichf = 250 A,

vc = mit einer Leistung von mehr als 50 W

- Das ist...Ichf/dt = 1200 A/US, (tVj= 125 c)

tVj= 25 °c

 

190

 

 

μC

tVj= 125 °c

 

295

 

tVj= 150 °c

 

335

 

 

IchRR

Diode Rückwärts

Rückgewinnungsstrom

tVj= 25 °c

 

185

 

 

a)

tVj= 125 °c

 

210

 

tVj= 150 °c

 

216

 

 

eErklärungen

Diode Rückwärts

Energiewiederherstellung

tVj= 25 °c

 

223

 

 

m

tVj= 125 °c

 

360

 

tVj= 150 °c

 

410

 

 

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