YMIBD800-17,IGBT-Modul,Dual-Switch-IGBT,CRRC

IGBT-Modul 1700V

YMIBD800-17,IGBT-Modul,Dual-Schalter IGBT,CRRC

YMIBD800-17,IGBT-Modul,Dual-Schalter IGBT,CRRC

1700V 800A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIBD800-17 / TIM800DDM17-PSA011

Einführung
Gliederung

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul,Einzel-Switch IGBT-Module, die von CRRC hergestellt werden. 1700V 1200A.

Schlüssel Parameter

vCES	1700		v
vCE(sitz)	(typisch)	2.30	v
IC	(Max)	800	Ein
IC ((RM)	(Max)	1600	Ein

Typisch Anwendungen

Traktionsantriebe
Motorsteuerungen
Wind Leistung
hoch Zuverlässigkeit Wechselrichter

Merkmale

AlSiC Basis
KI Substrate
hoch Thermal Cycling Fähigkeit
10μs Kurz SCHALTUNG Widerstand leisten.
Niedrig vCE(sitz) Gerät
hoch Aktuell Dichte

Absolut Maximum Bewertungen

(Symbol)	(Parameter)	(Prüfbedingungen)	(Wert)	(Einheit)
VCES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.。C	1700	v
V GES	Spannung des Tor-Emitters	TC= 25。C	± 20	v
I C	Sammler-Emitterstrom	TC = 80。C	800	Ein
I C ((PK)	Spitzenstrom des Kollektors	t P=1 ms	1600	Ein
P max	Max. Transistorenleistungsabbau	Tvj = 150。C, TC = 25。C	6.94	kW
1t	Diode I 2t	Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.。C	120	kA2s
Schnüren	Isolationsspannung pro Modul	(Gemeinsame Endpunkte zur Unterplatte) AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25。C	4000	v
Q PD	Teilweise Entladung pro Modul	Die Größe der Verpackung ist: Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verarbeiten.。C	10	PC

Elektrische Eigenschaften

(Symbol)	(Parameter)	(Prüfbedingungen)	(Min)	(Typ)	(Max)	(Einheit)
I CES	Sammler-Abschlusstrom	V GE = 0V,VCE = VCES			1	mA
I CES	Sammler-Abschlusstrom	V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C			25	mA
I GES	Durchlässigkeit des Tores	V GE = ±20V, VCE = 0V			4	μA
V GE (TH)	Schrankschwellenspannung	I C = 40mA, V GE = VCE	5.00	5.70	6.50	v
VCE (Sat)	Kollektor-Emitter Sättigungsspannung	V GE =15V, I C = 800A		2.30	2.60	v
VCE (Sat)	Kollektor-Emitter Sättigungsspannung	V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C		2.80	3.10	v
I F	Diodenvorwärtsstrom	GleichstromDC			800	Ein
I FRM	Diode maximale Vorwärtsstrom	t P = 1ms			1600	Ein
VF(*1)	Diodenvorwärtsspannung	I F = 800A		1.70	2.00	v
VF(*1)	Diodenvorwärtsspannung	I F = 800A, Tvj = 125 ° C		1.80	2.10	v
C ies	Eingangskapazität	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz		60		NF
Q g	Gate-Ladung	±15V		9		μC
C res	Rückwärtsübertragungs-Kapazität	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz		-		NF
L M	Modulinduktivität			20		nH
R INT	Interne Transistorwiderstand			270		μΩ
I SC	Kurzschlussstrom, ISC	Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3700		Ein
Td (ausgeschaltet)	Verzögerungszeit für die Abschaltung	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		890		NS
t f	Herbstzeit			220		NS
E OFF	Energieverlust bei Abschaltung			220		mJ
Die Daten sind nicht verfügbar.	Verzögerungszeit der Einleitung			320		NS
t r	Aufstiegszeit			190		NS
EON	Einschaltenergieverlust			160		mJ
Q rr	Diode Rückwärtswiederherstellungsladung	I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us		260		μC
I rr	Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom			510		Ein
E rec	Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie			180		mJ
Td (ausgeschaltet)	Verzögerungszeit für die Abschaltung	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		980		NS
t f	Herbstzeit			280		NS
E OFF	Energieverlust bei Abschaltung			290		mJ
Die Daten sind nicht verfügbar.	Verzögerungszeit der Einleitung			400		NS
t r	Aufstiegszeit			250		NS
EON	Einschaltenergieverlust			230		mJ
Q rr	Diode Rückwärtswiederherstellungsladung	I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us		420		μC
I rr	Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom			580		Ein
E rec	Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie			280		mJ