mit einer Leistung von

(Symbol)

(Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Wert)

(Einheit)

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.。c

1700

v

V GES

Spannung des Tor-Emitters

TC= 25。c

± 20

v

I C

Sammler-Emitterstrom

TC  = 80。c

800

a)

I C ((PK)

Spitzenstrom des Kollektors

t P=1 ms

1600

a)

P max

Max. Transistorenleistungsabbau

Tvj = 150。C, TC = 25。c

6.94

kW

1t

Diode I 2t

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.。c

120

kA2s

Schnüren

Isolationsspannung pro Modul

(Gemeinsame Endpunkte zur Unterplatte)

AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25。c

4000

v

Q PD

Teilweise Entladung pro Modul

Die Größe der Verpackung ist: Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verarbeiten.。c

10

PC

(Symbol)

 (Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Min)

(Typ)

(maximal)

(Einheit)

I CES

Sammler-Abschlusstrom

V GE = 0V,VCE  = VCES

1

- Ich weiß.

V GE = 0V, VCE  = VCES , TC=125 ° C

25

- Ich weiß.

I GES

Durchlässigkeit des Tores

V GE = ±20V, VCE  = 0V

4

μA

V GE (TH)

Schrankschwellenspannung

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

v

VCE (Sat)

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

V GE =15V, I C  = 800A

2.30

2.60

v

V GE =15V, I C  = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

v

I F

Diodenvorwärtsstrom

Gleichstromdc

800

a)

I FRM

Diode maximale Vorwärtsstrom

t P = 1ms

1600

a)

VF(*1)

Diodenvorwärtsspannung

I F = 800A

1.70

2.00

v

I F = 800A, Tvj  = 125 ° C

1.80

2.10

v

C ies

Eingangskapazität

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

NF

Q g

Gate-Ladung

±15V

9

μC

C res

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

- Ich weiß.

NF

L M

Modulinduktivität

20

- Nein.

R INT

Interne Transistorwiderstand

270

μΩ

I SC

Kurzschlussstrom, ISC

Tvj = 125° C, VCC  = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

a)

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

NS

t f

Herbstzeit

220

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

220

m

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

320

NS

t r

Aufstiegszeit

190

NS

EON

Einschaltenergieverlust

160

m

Q rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

510

a)

E rec

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

180

m

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

NS

t f

Herbstzeit

280

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

290

m

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

400

NS

t r

Aufstiegszeit

250

NS

EON

Einschaltenergieverlust

230

m

Q rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

580

a)

E rec

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

280

m