IGBT-Modul 3300V

(Symbol)

(Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Wert)

(Einheit)

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

v

V GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Sammler-Emitterstrom

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

Ein

I C ((PK)

Spitzenstrom des Kollektors

1 ms, T-Fall = 140 °C

1000

Ein

P max

Max. Transistorenleistungsabbau

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

kW

1t

Diode I t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Schnüren

Isolationsspannung pro Modul

Gemeinsame Anschlüsse zur Grundplatte),

AC RMS,1 min, 50Hz

6000

v

Q PD

Teilweise Entladung pro Modul

Die Größe der Verpackung ist: Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

10

PC

tFallstudie = 25 °C t Fallstudie = 25°C es sei denn angegeben sonstige

(Symbol)

(Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Min)

(Typ)

(Max)

(Einheit)

I CES

Sammler-Abschlusstrom

v GE = 0V, vCE = vCES

1

mA

v GE = 0V, vCE = vCES , t Fallstudie = 125 °C

30

mA

v GE = 0V, vCE =vCES , t Fallstudie =150 °C

50

mA

I GES

Leckage durch das Tor Aktuell

v GE = ±20V, vCE = 0V

1

μA

v GE (TH)

Schrankschwellenspannung

I C = 40mA, v GE =vCE

5.50

6.10

7.00

v

vCE (sitz)(b)

Sättigung des Sammler-Emitters Spannung

v GE =15V,I C= 500A

2.40

2.90

v

v GE =15V,I C = 500 A,tVj = 125 °C

2.95

3.40

v

v GE =15V,I C = 500 A,tVj = 150 °C

3.10

3.60

v

I F

Diodenvorwärtsstrom

DC

500

Ein

I FRM

Diode maximal nach vorne Aktuell

t P = 1 ms

1000

Ein

vF(b)

Diodenvorwärtsspannung

I F = 500A

2.10

2.60

v

I F = 500 A, tVj = 125 °C

2.25

2.70

v

I F = 500 A, tVj = 150 °C

2.25

2.70

v

Cies

Eingangskapazität

vCE = 25 V, v GE = 0V,F = 1MHz

90

NF

Qg

Gate-Ladung

±15V

9

μC

Cres

UmkehrübertragungsfähigkeitZitat

vCE = 25 V, v GE = 0V,F = 1MHz

2

NF

L m

Modul Induktivität

25

nH

r INT

Interne Transistorwiderstand

310

μΩ

I SC

Kurzschluss Strom ISC

tVj = 150°C, v CC = 2500 V, v GE ≤15 V,tP ≤10μs,

vCE(Max) = vCES –L (b) ×di/dt,IEC 6074-9

1800

Ein

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

L ~ 150nH

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

1720

NS

t f

Herbstzeit

520

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

780

mJ

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

650

NS

Tr

Aufstiegszeit

260

NS

EON

Einschaltenergieverlust

730

mJ

Qrr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 500A

VCE =1800V

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

390

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

420

Ein

Erek

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

480

mJ

(Symbol)

(Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Min)

(typisch)

(Max)

(Einheit)

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

1860

NS

t f

Herbstzeit

550

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

900

mJ

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

630

NS

Tr

AufstiegAufstiegszeit

280

NS

EON

Einschaltenergieverlust

880

mJ

Qrr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 500A

VCE =1800V

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

620

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

460

Ein

Erek

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

760

mJ

(Symbol)

(Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Min)

(typisch)

(Max)

(Einheit)

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

1920

NS

t f

Herbstzeit

560

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

1020

mJ

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

620

NS

Tr

Aufstiegszeit

280

NS

EON

Einschaltenergieverlust

930

mJ

Qrr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 500A

VCE =1800V

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

720

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

490

Ein

Erek

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

900

mJ