IGBT-Modul, 1700V und 1200A
Schlüsselparameter
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vCES |
1700 |
v |
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vc(gesetzt) |
(typisch) |
1.80 |
v |
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Ichc |
(maximal) |
1200 |
a) |
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IchC ((RM) |
(maximal) |
2400 |
a) |
typisch Anwendungen
Merkmale
Absolute Höchstmenge Bewertungen
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(Symbol) |
(Parameter) |
(Prüfbedingungen) |
(Wert) |
(Einheit) |
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VCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.。c |
1700 |
v |
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V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
TC= 25。c |
± 20 |
v |
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I C |
Sammler-Emitterstrom |
TC =75 。c |
1200 |
a) |
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I C ((PK) |
Spitzenstrom des Kollektors |
t P=1 ms |
2400 |
a) |
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P max |
Max. Transistorenleistungsabbau |
Tvj = 150。C, TC = 25。c |
5.68 |
kW |
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1t |
Diode I 2t |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.。c |
130 |
kA2s |
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Schnüren |
Isolationsspannung pro Modul |
(Gemeinsame Endpunkte zur Unterplatte) AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25。c |
4000 |
v |
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Q PD |
Teilweise Entladung pro Modul |
Die Größe der Verpackung ist: Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verarbeiten.。c |
10 |
PC |
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