Schnelle Erholungsdiode

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(℃)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180- Nein.Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

TC=85℃

150

4000

a)

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

tp=10ms

150

2100

3000

v

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei V_RRM

150

300

- Ich weiß.

IFSM

Überspannungsstrom

10ms Halbwelle VR=0.6V_RRM

150

44

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

9680

a)²s*10³

VFO

Schwellenspannung

150

0.96

v

Rf

Vorwärtssteigungswiderstand

0.12

mΩ

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

IFM=5000A, F=35kN

25

2.20

v

IRM

Rückwärts-Rückgewinnungsstrom

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

150

350

a)

trr

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

12

μs

Qrr

Einziehungsgebühr

4300

μC

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Doppelseitig gekühlt    Klemmkraft 40kN

0.007

°C/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.002

fm

Montagekraft

63

84

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

150

°C

Tstg

Lagertemperatur

-40

160

°C

Wt

Gewicht

1390

G

Umriss

ZT84cT