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Schnelles Abschalten

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Y89KFG, Nicht symmetrischer Schnellabschalt-Thyristor

Teilenr. Y89KFG-KT84c(d)T

Brand:
TECHSEM
Spu:
Y89KFG-KT84c(d)T
Appurtenance:

Produktbroschüre:HERUNTERLADEN

  • Einführung
  • Gliederung
Einführung

Funktionen

  • Interdigitierte Verstärkungsgitter
  • Schnelles Einschalten und hohe di/dt
  • Niedrige Schaltverluste

Typische Anwendungen

  • Induktionsheizung
  • Selbstkommutierte Wechselrichter

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj(°C )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

TC=55°C

125

3800

Ein

VDRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung

tp=10ms

125

2000

3000

V

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

125

1000

2500

V

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

250

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

46

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

10580

A2s* 103

VTO

Schwellenspannung

125

1.32

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.14

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=5000A, F=70kN

30μs≤tq≤45µs

25

2.60

V

46μs≤tq≤70µs

2.00

V

71μs≤tq≤100µs

1.80

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Steigrate des Einschaltstroms (nicht wiederholend)

VDM= 67% VDRM, bis 4000A

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel

125

2100

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=2000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

30

100

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

40

450

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.9

4.5

V

IH

Haltestrom

20

1000

mA

IL

Haltestrom

1500

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 70 kN

0.007

C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.002

FM

Montagekraft

63

84

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

Wt

Gewicht

1390

g

Gliederung

KT84cT

Gliederung

Y89KFG-2(1).png

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