Schnelles Abschalten

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180- Nein.Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

TC=55°C

125

4240

a)

VDRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung

tp=10ms

125

1200

2000

v

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1000

1800

v

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

250

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

46

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

10580

A2s*103

VTO

Schwellenspannung

125

1.14

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.10

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=5000A, F=70kN

15μs≤tq≤35µs

25

2.50

v

36μs≤tq≤60µs

1.80

v

61μs≤tq≤80µs

1.60

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Steigrate des Einschaltstroms (nicht wiederholend)

VDM= 67%VDRM      , bis 4000A

Gate-Puls tr ≤0.5μs    IGM=1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

2100

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=2000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

25

80

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

40

450

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.9

4.5

v

IH

Haltestrom

20

1000

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

1000

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 70 kN

0.007

°C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.002

fm

Montagekraft

63

84

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

°C

Wt

Gewicht

1390

G

Umriss

KT84cT