Schnelles Abschalten

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt

TC=55°C

125

3354

a)

VDRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung

tp=10ms

125

2000

3000

v

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1000

2500

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

250

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

40

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

8000

103A2s

VTO

Schwellenspannung

125

1.30

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.14

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=5000A, F=70kN

45μs≤tq≤75µs

25

2.00

v

76μs≤tq≤100µs

1.80

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Steigrate des Einschaltstroms (nicht wiederholend)

VDM= 67%VDRM,

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

1000

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=2000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

45

100

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

40

250

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.9

2.5

v

IH

Haltestrom

20

1000

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

1500

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180。Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 70kN

0.0085

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.0020

fm

Montagekraft

63

84

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

°C

Wt

Gewicht

1230

G

Umriss

KT75cT