Y80KFG, Nicht symmetrischer Schnellabschalt-Thyristor

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj(°C )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt

TC=55 ℃

125

3354

Ein

VDRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung

tp=10ms

125

2000

3000

V

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1000

2500

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

250

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

40

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

8000

103A2s

VTO

Schwellenspannung

125

1.30

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.14

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=5000A, F=70kN

45μs≤tq≤75µs

25

2.00

V

76μs≤tq≤100µs

1.80

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Steigrate des Einschaltstroms (nicht wiederholend)

VDM= 67%VDRM,

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

1000

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=2000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

45

100

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

40

250

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.9

2.5

V

IH

Haltestrom

20

1000

mA

IL

Haltestrom

1500

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180 。Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 70kN

0.0085

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.0020

FM

Montagekraft

63

84

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

℃

Wt

Gewicht

1230

g

Gliederung

KT75cT