Schnelles Abschalten

Y76KFE, Nicht symmetrischer Schnellabschalt-Thyristor

Y76KFE, Nicht symmetrischer Schnellabschalt-Thyristor

Teilenr. Y76KFE-KT73c(d)T

Brand:

TECHSEM

Spu:

Y76KFE-KT73c(d)T

Appurtenance:

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Einführung
Gliederung

Einführung

I T(AV)	3415Ein
V DRM	800V~ 2000V
V RRM	1000V~ 1800V
t Q	15~75µs

Funktionen

Ausgezeichnete dynamische Eigenschaften
Schnelles Einschalten und hohe di/dt
Niedrige Schaltverluste

Typische Anwendungen

Entwurf für Anwendungen mit Wechselrichterversorgung

Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen			Tj(°C )	Wert			Einheit
Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen			Tj(°C )	Min	TYP	Max	Einheit
IT(AV)	Mittlerer Einschaltstrom	180。Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,		TC=55°C	125			3415	Ein
IT(AV)	Mittlerer Einschaltstrom	180。Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,		TC=70°C	125			2870	Ein
VDRM	Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung	tp=10ms			125	800		2000	V
VRRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung	tp=10ms			125	1000		1800	V
Ich bin hier	Wiederholender Spitzenstrom	VD= VDRM VR= VRRM			125			200	mA
ITSM	Überschuss-Einschaltstrom	10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM			125			35.6	kA
1 t	I2t für Fusionskoordination	10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM			125			6337	A2s*103
VTO	Schwellenspannung				125			1.21	V
rT	Einschalt-Widerstand				125			0.10	mΩ
VTM	Spitzeneinschaltspannung	ITM=4000A, F=40kN	15≤tq≤35		25			2.20	V
			36≤tq≤50					2.00	V
			51≤tq≤75					1.80	V
dv/dt	Kritische Steigrate der Ausschaltspannung	VDM=0.67VDRM			125			1000	V/μs
di/dt	Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms	VDM= 67%VDRM bis 3000A Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A			125			1500	A/μs
Qrr	Einziehungsgebühr	ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V			125		1300		μC
Tq	Schaltungskommutierte Abschaltzeit	Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.			100	15		75	μs
IGT	Gate-Auslöseström	VA=12V, IA=1A			25	45		300	mA
- Ich weiß.	Gate-Auslösespannung					0.9		4.5	V
IH	Haltestrom					20		500	mA
IL	Haltestrom							1000	mA
VGD	Nicht-auslösende Gate-Spannung	VDM=67%VDRM			125			0.3	V
Rth(j-c)	Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse	Bei 180° Sinus, doppelseitig gekühlte Klemmkraft 40 kN						0.010	℃ /W
Rth(c-h)	Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper	Bei 180° Sinus, doppelseitig gekühlte Klemmkraft 40 kN						0.003	℃ /W
FM	Montagekraft					35		47	kN
Fernsehen	Junction-Temperatur					-40		125	℃
Tstg	Lagertemperatur					-40		140	℃
Wt	Gewicht						1100/ 1460		g
Gliederung	KT73cT/ KT73dT