Y76KAD(D), Hochfrequenz-Thyristor

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( 。C)

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz Doppelseitig gekühlt

TC=55 。C

125

2600

Ein

TC=70 。C

125

2200

Ein

IDRM IRRM

Wiederholte Spitzen Aktuell

bei VDRM tp= 10ms bei VRRM tp= 10ms

125

300

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0,6VRRM

125

35

kA

I 2t

I 2t für die Schmelzsicherung

6125

103Ein 2s

VTO

Schwellenspannung

125

1.38

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.20

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=4000A, F=40kN

25

2.50

V

dv/dt

Kritische Anstiegsrate des Ausschaltzustands Spannung

VDM=67%VDR

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate O f im eingeschalteten Zustand Aktuell

VDM=67%VDRM,

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=50V

125

60

μC

Tq

Schaltungskommutiert t Ausschaltzeit

ITM=2000A, tp=4000µs, VR=50V dv/dt=30V/µs , di/dt=-20A/µs

125

10

25

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

I H

Haltestrom

20

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Wärmeleitfähigkeit Verbindung von Halbleiter zu Gehäuse

Doppelseitig gekühlt Klemmkraft 40kN

0.010

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Heizkessel

0.003

FM

Montagekraft

35

47

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

。C

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

。C

Wt

Gewicht

1100

g

Gliederung

KT73cT