Hochfrequenzthyristor

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(。C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz Doppelseitig gekühlt

TC=55。c

125

2600

a)

TC=70。c

125

2200

a)

IDRM IRRM

Wiederholte Spitzen Strom

bei VDRM- Das ist nicht wahr.tp= 10 ms bei VRRM- Das ist nicht wahr.tp= 10 ms

125

300

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10 ms halbe SinuswelleVR=0.6VRRM

125

35

Ka

Ich2t

Ich2t für die Schmelzsicherung

6125

103a)2s

VTO

Schwellenspannung

125

1.38

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.20

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=4000A, F=40kN

25

2.50

v

dv/dt

Kritische Anstiegsrate des Ausschaltzustands Spannung

VDM=67%VDR

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate of im eingeschalteten Zustand Strom

VDM=67%VDRM,

Gate-Puls tr ≤0.5μs- Ich weiß.IGM= 1.5a

125

1500

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=50V

125

60

μC

Tq

Schaltungskommutiert tAusschaltzeit

ITM=2000A, tp=4000µs, VR=50V dv/dt=30V/µs , di/dt=-20A/µs

125

10

25

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1a

25

40

300

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

Ichh

Haltestrom

20

1000

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Wärmeleitfähigkeit Verbindung von Halbleiter zu Gehäuse

Doppelseitig gekühlt- Das ist nicht wahr.Klemmkraft 40kN

0.010

。c /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Heizkessel

0.003

fm

Montagekraft

35

47

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

。c

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

。c

Wt

Gewicht

1100

G

Umriss

KT73cT