Y75ZPA-B,Housingless Schweißdiode

I T(AV)

18000Ein

V DRM ,V RRM

200V 400V

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz

Doppelseitig gekühlt, TC=85 。C

175

18000

Ein

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

tp=10ms

175

200

400

V

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VRRM

175

80

mA

IFSM

Überspannungsstrom

10ms Halbwelle VR=0VRRM

175

135

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

90000

A2s*103

VFO

Schwellenspannung

Die Ausrüstung ist aus einem Stahlwerk bestehend.

175

0.75

V

rF

Vorwärtssteigungswiderstand

0.017

mΩ

VFM

Maximaler Spitzenwert der Durchlassspannung

IFM=6000A

25

1.00

V

Qrr

Einziehungsgebühr

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

175

300

μC

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlt

0.003

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.0015

FM

Montagekraft

70

80

90

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

175

。C

Tstg

Lagertemperatur

-40

175

。C

Wt

Gewicht

540

g

Gliederung

Z68T