Schnelle Erholungsdiode

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180。Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

TC=85°C

150

1876

a)

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

tp=10ms

150

2100

3000

v

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VRRM

150

195

- Ich weiß.

IFSM

Überspannungsstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

150

25

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

3125

a)²s*10³

VFO

Schwellenspannung

150

1.55

v

Rf

Vorwärtssteigungswiderstand

0.29

mΩ

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

ITM=3000A, F=35kN

25

3.20

v

IRM

Rückwärts-Rückgewinnungsstrom

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

150

260

a)

trr

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

10

μs

Qrr

Einziehungsgebühr

1300

1500

μC

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180- Nein.Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 35kN

0.012

°C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.003

fm

Montagekraft

30

40

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

150

°C

Tstg

Lagertemperatur

-40

160

°C

Wt

Gewicht

880

G

Umriss

ZT60cT