Schnelles Abschalten

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180- Nein.halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt

TC=55°C

125

2500

a)

VDRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung

tp=10ms

125

800

2000

v

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1000

1800

v

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

200

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

29

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

4205

103A2s

VTO

Schwellenspannung

125

1.10

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.13

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=4000A, F=32kN

15≤tq≤28

25

2.20

v

29≤tq≤50

2.00

v

51≤tq≤75

1.80

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Steigrate des Einschaltstroms (nicht wiederholend)

VDM= 67%VDRM,

Gate-Puls tr ≤0.5μs   IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

750

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

15

75

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.9

2.5

v

IH

Haltestrom

20

1000

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

1000

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180- Nein.Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 32kN

0.012

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.003

fm

Montagekraft

30

40

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

-40

130

°C

Wt

Gewicht

880

G

Umriss

KT60cT