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Hochfrequenzthyristor

Hochfrequenzthyristor

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Y55KAD, Hochfrequenz-Thyristor

Y55KAD-KT54cT

Brand:
TECHSEM
Spu:
Y55KAD-KT54cT
Appurtenance:

Produktbroschüre:HERUNTERLADEN

  • Einführung
  • Gliederung
Einführung

I T(AV)

1520A

V DRM ,V RRM

1200V 1400V

Tq

12 bis 28 μs

Funktionen

  • Interdigitierte Verstärkungsgitter
  • Schnelles Einschalten und hohe di/dt
  • Niedrige Schaltverluste
  • Kurze Abschaltzeit
  • Hermetisch dichte Metallgehäuse mit keramischen Isolatoren

Typische Anwendungen

  • Indu ktive Erwärmung
  • Elektronische Schweißer
  • Selbstkommutiert Wechselrichter
  • Klimaanlage Drehzahlregelung
  • Allgemein Leistungsschaltung ANWENDUNGEN

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( C)

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

TC=55 C

125

1520

Ein

VDRM VRRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Spannung

tp=10ms

125

1100

1400

V

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenwert des Ausschaltstroms Wiederholender Spitzenwert des Rückstroms

bei VDRM bei VRRM

125

100

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

18

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

1620

A2s*103

VTO

Schwellenspannung

125

1.63

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.25

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=3000A, F=26kN

25

3.20

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67%VDRM bis 2500A

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel

125

105

120

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM= 1000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

12

28

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

300

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

IH

Haltestrom

20

400

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 26kN

0.018

C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.004

FM

Montagekraft

21

30

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

C

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

C

Wt

Gewicht

590

g

Gliederung

KT54cT

Gliederung

Y55KAD-2(1).png

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