Hochfrequenzthyristor

IchT(AV)- Ich weiß.

1520A

vDRM,VRRM

1200V    1400V

Tq

12 bis 28 μs

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(。C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

TC=55。c

125

1520

a)

VDRM VRRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Spannung

tp=10ms

125

1100

1400

v

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenwert des Ausschaltstroms Wiederholender Spitzenwert des Rückstroms

bei VDRM bei VRRM

125

100

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

18

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

1620

A2s*103

VTO

Schwellenspannung

125

1.63

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.25

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=3000A, F=26kN

25

3.20

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67%VDRM bis 2500A

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

105

120

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM= 1000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

12

28

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

300

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

20

400

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

1000

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 26kN

0.018

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.004

fm

Montagekraft

21

30

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

。c

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

。c

Wt

Gewicht

590

G

Umriss

KT54cT