Schnelle Erholungsdiode

Ich_T(AV)

1500a

v_RRM

1800V- Ich weiß.2000V

2200V 2500V

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180- Nein.Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

Tsink=55°C

125

1500

a)

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VRRM

125

85

- Ich weiß.

IFSM

Überspannungsstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

19.6

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

1920.8

A2s*103

VFO

Schwellenspannung

125

1.16

v

Rf

Vorwärtssteigungswiderstand

0.29

mΩ

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

@IFM=1500A,

F=24kN

25

1.76

v

@IFM=3000A,

125

2.03

VFRM

Maximale Vorwärtsrückführspannung

di/dt=1000A/µs

125

45

v

25

28

v

IRM

Rückwärts-Rückgewinnungsstrom

IFM=1000A, tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

125

144

a)

trr

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

4.5

μs

Qrr

Einziehungsgebühr

650

μC

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180。Sinus, doppelseitig gekühlte Klemmkraft 24kN

0.021

°C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.005

fm

Montagekraft

19

26

kn

- Ich bin ein Idiot.

Betriebstemperaturbereich

-40

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

-40

150

°C

Wt

Gewicht

440

G

Umriss

ZT50cT