Y50ZYB,Weiche Rückführungsdiode

I _T(AV)

1800A

V _RRM

800V 1000V

1200V 1400V

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180。Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

Tsink=55 ℃

125

1800

Ein

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VRRM

125

100

mA

IFSM

Überspannungsstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

25

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

3125

Ein ²s*10 ³

VFO

Schwellenspannung

125

1.150

V

rF

Vorwärtssteigungswiderstand

0.138

mΩ

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

@ IFM=3000A

F=24kN

25

1.70

V

@ IFM=4500A

125

1.77

VFRM

Maximale Vorwärtsrückführspannung

di/dt=1000A/µs

125

14

V

25

10

V

IRM

Rückwärts-Rückgewinnungsstrom

IFM=1000A, tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

125

50

Ein

trr

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

3.0

μs

Qrr

Einziehungsgebühr

150

μC

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180 ° Sinus, doppelseitig gekühlte Klemmkraft 24kN

0.021

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.005

FM

Montagekraft

19

26

kN

- Ich bin ein Idiot.

Betriebstemperaturbereich

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

150

℃

Wt

Gewicht

440

g

Gliederung

ZT50cT