Y50ZEA, Hochfrequenz-Schweißdiode

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( 。C)

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IF (AV )

Mittlerer Vorwärtsstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz

Doppelseitig gekühlt, TC=85 。C

175

5000

Ein

VRRM

Repetitive Spitzenrückwärtsspannung

tp=10ms

175

200

400

V

IRRM

Repetitive Spitzenstrom

bei VRRM

175

50

mA

IFSM

Überspannungsstrom

10ms halbe Sinus Welle VR =0 VRRM

175

45

kA

I 2t

I 2t für Ver fusion Koordination

10000

103Ein 2s

VFO

Schwellenspannung

I F=5000-15000A

175

0.82

V

rF

Vorwärtsslope Widerstand

0.032

mΩ

VFM

Min Spitzen-Durchlassspannung tage

IFM=5000A, F=30kN

25

1.10

V

Einfach

Rückgewinnungsstrom

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR =100V

175

40

Ein

trr

Erholungszeit

3.0

μs

Qrr

Einziehungsgebühr

100

μC

Rth (j-c)

Thermal Widerstand Verbindung von Halbleiter zu Gehäuse

doppelte Seite gekühlt

Klemmkraft 30.0kN

0.010

。C/W

Rth (c-h)

Thermal Widerstand Gehäuse zu Wärmeableiter

0.005

FM

Montagekraft

20

40

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

175

。C

Tstg

Lagertemperatur

-40

175

。C

Wt

Gewicht

140

g

Gliederung

ZT44T