Hochfrequenzthyristor

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(。C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

Das ist es.(von)

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz Doppelseitig gekühlt,

TC=55。c

125

1010

a)

VDRM VRRM

Repetitive Spitzenausschaltspannung Repetitive Spitzenrückwärtsspannung

tp=10ms

125

1200

1600

v

IDRM IRRM

Repetitive Spitzenausschaltstrom Repetitive Spitzensperrstrom

bei VDRM bei VRRM

125

50

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinus Welle VR=0.6VRRM

125

11

Ka

Ich2t

Ich2t für Vermischung Koordination

605

a)2s*103

VTO

Schwellenspannung

125

1.70

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.48

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=1800A, F=21kN

25

3.20

v

dv/dt

Kritische Anstiegsrate des Ausschaltzustands Spannung

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate- Sie des Einschaltzustands Strom

VDM= 67%VDRM zu 1600A,

Gate-Puls-Tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=1000A, tp=4000µs,  di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

83

100

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

18

36

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

250

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

Ichh

Haltestrom

20

400

- Ich weiß.

IchIch...

Haltestrom

500

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Wärme Widerstand Verbindung von Halbleiter zu Gehäuse

bei 1800 Sinus, Doppelseitig gekühlt Klemmkraft 21kN

0.024

。c /W

Rth(c-h)

Wärme Widerstand Gehäuse zu Heizkessel

0.006

fm

Montagekraft

18

25

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

。c

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

。c

Wt

Gewicht

3800

G

Umriss

KT44cT