Y45KKD, Hochfrequenz-Thyristor

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( 。C)

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT (AV )

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz Doppelseitig gekühlt,

TC=55 。C

125

1010

Ein

VDRM VRRM

Repetitive Spitzenausschaltspannung Repetitive Spitzenrückwärtsspannung

tp=10ms

125

1200

1600

V

IDRM IRRM

Repetitive Spitzenausschaltstrom Repetitive Spitzensperrstrom

bei VDRM bei VRRM

125

50

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinus Welle VR =0.6 VRRM

125

11

kA

I 2t

I 2t für Ver fusion Koordination

605

Ein 2s*10 3

VTO

Schwellenspannung

125

1.70

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.48

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=1800A, F=21kN

25

3.20

V

dv/dt

Kritische Anstiegsrate des Ausschaltzustands Spannung

VDM =0.67 VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate Se des Einschaltzustands Aktuell

VDM = 67% VDRM Um 1600A,

Gate-Puls-Tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=1000A, tp=4000µ s, Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

125

83

100

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=- 20A/µs

125

18

36

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

250

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

I H

Haltestrom

20

400

mA

I L

Haltestrom

500

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM =67% VDRM

125

0.3

V

Rth (j-c)

Thermal Widerstand Verbindung von Halbleiter zu Gehäuse

Bei 1800 Sinus, Doppelseitig gekühlt Klemmkraft 21kN

0.024

。C /W

Rth (c-h)

Thermal Widerstand Gehäuse zu Wärmeableiter

0.006

FM

Montagekraft

18

25

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

。C

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

。C

Wt

Gewicht

3800

g

Gliederung

KT44cT