Bidirektionaler Steuerthyristor

IT(AV)

930

VDRM, VRRM

500V   800V

1000V- Ich weiß.1200 V

1400V  1600V

1800

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(RMS)

RMS-Strom

50Hz Sinuswelle

Doppelseitig gekühlt,

TC=55°C

125

1330

a)

TC=85°C

125

930

VDRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

VDRM      tp=10ms

VDSM  = VDRM  +100V

125

500

1800

v

IDRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM

125

50

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

8.8

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

387

A2s*103

VTO

Schwellenspannung

125

0.78

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.89

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=1200A, F=18kN

25

2.70

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

50

V/µs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67% VDRM bei 1000A,

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A wiederholend

125

50

A/µs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

20

350

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.5

v

IH

Haltestrom

20

400

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

500

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

doppelseitig gekühlt     Klemmkraft 18kN

0.028

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.0075

fm

Montagekraft

15

20

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

。c

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

。c

Wt

Gewicht

320

G

Umriss

KT39cT40