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Schnelles Abschalten

Schnelles Abschalten

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Y40KKG,Schnellabschalt-Thyristor

Teilenr. Y40KKG-KT39cT

Brand:
TECHSEM
Spu:
Y40KKG-KT39cT
Appurtenance:

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  • Einführung
  • Umriss
Einführung

IchT(AV)

600a)

vDRM 

2000V~2200V

vRRM

2500V~2800V

tQ 

30~100µs

 

Merkmale

  • Interdigitierte Verstärkungsgitter
  • Schnelles Einschalten und hohe di/dt
  • Niedrige Schaltverluste

typische Anwendungen

  • Induktionsheizung
  • Elektronische Schweißer
  • Selbstkommutierte Wechselrichter

 

Symbol

 

Eigenschaft

 

Prüfbedingungen

 

Tj(°C)

Wert

 

Einheit

Min

Typ

maximal

 

IT(AV)

 

Mittlerer Einschaltstrom

180- Nein.Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

TC=80°C

 

125

 

 

600

a)

TC=55°C

 

 

800

a)

VDRM VRRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Spannung

tp=10ms

125

1900

 

3000

v

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

 

 

60

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms Halbwelle

125

 

 

8.5

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

 

 

361

A2s* 103

VTO

Schwellenspannung

 

125

 

 

1.39

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

 

 

0.83

 

VTM

 

Spitzeneinschaltspannung

 

ITM= 1800A, F= 18kN

30≤tq≤55

 

25

 

 

3.15

v

56≤tq≤75

 

 

2.88

v

76≤tq≤100

 

 

2.60

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

 

 

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67%VDRM bis 1600A,

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A Einzelpuls

125

 

 

1200

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM= 1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR= 100V

125

 

550

 

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM= 1000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs , di/dt=-20A/µs

125

30

 

100

μs

IGT

Gate-Auslöseström

 

VA= 12V, IA= 1A

 

25

40

 

300

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.9

 

3.0

v

IH

Haltestrom

20

 

400

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

 

 

500

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

 

 

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180° Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 18kN

 

 

 

0.028

 

°C/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

 

 

 

0.0075

fm

Montagekraft

 

 

15

 

20

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

 

 

-40

 

125

°C

Tstg

Lagertemperatur

 

 

-40

 

140

°C

Wt

Gewicht

 

 

 

320

 

G

Umriss

KT39cT

 

Umriss

Y40KKG-2(1).png

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