Hochfrequenzthyristor

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(。C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

TC=55。c

125

900

a)

VDRM VRRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Spannung

tp=10ms

125

1200

1600

v

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenwert des Ausschaltstroms Wiederholender Spitzenwert des Rückstroms

bei VDRM bei VRRM

125

50

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

10

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

500

A2s*103

VTO

Schwellenspannung

125

1.70

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.48

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=1500A, F=18kN

25

3.15

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67%VDRM bis 1600A

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

33

50

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

18

36

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

250

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

20

400

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

500

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 18kN

0.028

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.0075

fm

Montagekraft

15

20

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

。c

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

。c

Wt

Gewicht

320

G

Umriss

KT39cT40