Y35KSEA,Bi-direktionaler Steuerthyristor

IT(AV)

730Ein

VDRM, VRRM

500V 800V

1000V 1200V

1400V 1600V

1800

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(RMS)

RMS-Strom

50Hz Sinuswelle

Doppelseitig gekühlt,

TC=55°C

125

1060

Ein

TC=85°C

730

VDRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

VDRM tp=10ms

VDSM=VDRM+100V

125

500

1800

V

IDRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM

125

40

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

7

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

245

A2s* 103

VTO

Schwellenspannung

125

0.90

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

1.02

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=750A, F= 15kN

125

2.70

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

50

V/µs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67% VDRM bei 1000A,

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A wiederholend

125

50

A/µs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

20

300

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

IH

Haltestrom

20

300

mA

IL

Haltestrom

500

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Doppelseitig gekühlte Klemmkraft 15kN

0.035

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.010

FM

Montagekraft

10

20

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

。C

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

。C

Wt

Gewicht

110

g

Gliederung

KA32