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Bidirektionaler Steuerthyristor

Bidirektionaler Steuerthyristor

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Y30KSE,Bidirectional Steuerungstyristor

Teilenummer Y30KSE-KT25aT

Brand:
TECHSEM
Spu:
Y30KSE-KT25aT
Appurtenance:

Produktbroschüre:HERUNTERLADEN

  • Einführung
Einführung

IT(AV)

520

VDRM, VRRM

500V 800V

1000V 1200V

1400V 1600V

1800

Funktionen

  • Internationale Standardgehäuse
  • Hermetisch dichte Metallgehäuse mit keramischen Isolatoren
  • Kapselpakete für doppelseitige Kühlung

Typische Anwendungen

  • Hochleistungsindustrie und Energieübertragung
  • DC- und AC-Motorsteuerung
  • AC-Controller

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj(°C )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(RMS)

RMS-Strom

50Hz Sinuswelle

Doppelseitig gekühlt,

TC=55°C

125

730

Ein

TC=85 C

520

VDRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

VDRM tp=10ms

VDSM = VDRM +100V

125

500

1800

V

IDRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM

125

30

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

5.0

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

A2s* 103

VTO

Schwellenspannung

125

0.85

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

1.85

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=450A, F=7.0kN

25

2.70

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

50

V/µs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67%VDRM bis 800A,

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A wiederholend

125

50

A/µs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

20

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

2.5

V

IH

Haltestrom

20

200

mA

IL

Haltestrom

500

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

doppelseitig gekühlt

Klemmkraft 7.0kN

0.045

C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.010

FM

Montagekraft

5.3

10

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

C

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

C

Wt

Gewicht

80

g

Gliederung

KT25aT

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