Bidirektionaler Steuerthyristor

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(°C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(RMS)

RMS-Strom

50Hz Sinuswelle

Doppelseitig gekühlt,

TC=55°C

125

730

a)

TC=85。c

520

VDRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

VDRM tp=10ms

VDSM = VDRM +100V

125

500

1800

v

IDRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM

125

30

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

5.0

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

A2s* 103

VTO

Schwellenspannung

125

0.85

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

1.85

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=450A, F=7.0kN

25

2.70

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

50

V/µs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67%VDRM bis 800A,

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A wiederholend

125

50

A/µs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

20

200

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

2.5

v

IH

Haltestrom

20

200

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

500

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Doppelseitig gekühlt

Klemmkraft 7.0kN

0.045

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.010

fm

Montagekraft

5.3

10

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

。c

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

。c

Wt

Gewicht

80

G

Umriss

KT25aT