TG1800HF17H1-S500,IGBT-Modul,Halbbrücke IGBT,CRRC

符号 Symbol

参数名称 Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

数值 Wert

Einheit Einheit

V CES

集电极 -Emitterspeicherspannung

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

V GE = 0V, t C = 25 °C

1700

V

V GES

极 -Emitterspeicherspannung

Spannung des Tor-Emitters

t C = 25 °C

± 20

V

I C

集电极电流 (Zusammenfassung von elektrischem Strom)

Sammler-Emitterstrom

t C = 85 °C, t Vj Max = 175°C

1800

Ein

I C(PK)

集电极峰值电流

Spitzenstrom des Kollektors

t P =1ms

3600

Ein

P Max

Maximale Verlustleistung des Transistors

Max. Transistorenleistungsabbau

t Vj = 175°C, t C = 25 °C

9.38

kW

I 2t

Diode I 2t Wert Diode I 2t

V R =0V, t P = 10ms, t Vj = 175 °C

551

kA 2s

V Isolierung

绝缘电压 (Modul )

Isolation Spannung - pro Modul

Alle Anschlüsse kurzschließen, Spannung zwischen Anschluss und Basisplatte anlegen ( Anschlusskontakt s zu Kupferplatte ) Klimaanlage RMS,1 min, 50Hz, t C = 25 °C

4000

V

参数 Symbol

Beschreibung

Erklärung

Wert Wert

Einheit Einheit

Kriechstrecke

Schleichentfernung

Kontakt -Kühler

Terminal zu Heizkessel

36.0

mm

Kontakt -Kontakt

Terminal zu Terminal

28.0

mm

Isolationsabstand Bodenfreiheit

Kontakt -Kühler

Terminal zu Heizkessel

21.0

mm

Kontakt -Kontakt

Terminal zu Terminal

19.0

mm

relativer elektrischer Spurenausfallindex

CTI (Comparative Tracking Index)

>400

符号 Symbol

参数名称 Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

Der letzte Wert Min.

Typische Werte - Das ist typisch.

Maksimalwert Max.

Einheit Einheit

R Die IGBT

IGBT Gehäuse-Wärmeübergangswiderstand

Thermal Widerstand – IGBT

16

K / kW

R Die Diode

Thermischer Widerstand der Diode

Thermal Widerstand – Diode

33

K / kW

R Die IGBT

Kontaktwärmewiderstand (IGBT)

Thermal Widerstand –

Gehäuse zu Heissleiter (IGBT)

Einrichtungstrom 5Nm, Wärmeleitpaste 1W/m·K Einheit für die Verwendung in der Maschine

Mit Montage Fett 1W/m·K

14

K / kW

R Die Diode

Kontaktwärmewiderstand (Diode)

Thermal Widerstand –

Gehäuse zu Heissleiter (Diode)

Einrichtungstrom 5Nm, Wärmeleitpaste 1W/m·K Einheit für die Verwendung in der Maschine

Mit Montage Fett 1W/m·K

17

K / kW

t vjop

Arbeitszeit

Betriebstemperatur Temperatur

IGBT Chip ( IGBT )

-40

150

°C

Diodenchip ( Diode )

-40

150

°C

t stg

storage temperatur

Lagerungstemperaturbereich

-40

150

°C

m

Einrichtungstrom

Schraubdrehmoment

Für die Montagebefestigung – M5 Montage – M5

3

6

Nm

Für die Schaltungsverbindung – M4

Elektrische Anschlüsse – M4

1.8

2.1

Nm

Für die Schaltungsverbindung – M8

Elektrische Anschlüsse – M8

8

10

Nm

符号 Symbol

参数名称 Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

Der letzte Wert Min.

Typische Werte - Das ist typisch.

Maksimalwert Max.

Einheit Einheit

R Die IGBT

IGBT Gehäuse-Wärmeübergangswiderstand

Thermal Widerstand – IGBT

16

K / kW

R Die Diode

Thermischer Widerstand der Diode

Thermal Widerstand – Diode

33

K / kW

R Die IGBT

Kontaktwärmewiderstand (IGBT)

Thermal Widerstand –

Gehäuse zu Heissleiter (IGBT)

Einrichtungstrom 5Nm, Wärmeleitpaste 1W/m·K Einheit für die Verwendung in der Maschine

Mit Montage Fett 1W/m·K

14

K / kW

R Die Diode

Kontaktwärmewiderstand (Diode)

Thermal Widerstand –

Gehäuse zu Heissleiter (Diode)

Einrichtungstrom 5Nm, Wärmeleitpaste 1W/m·K Einheit für die Verwendung in der Maschine

Mit Montage Fett 1W/m·K

17

K / kW

t vjop

Arbeitszeit

Betriebstemperatur Temperatur

IGBT Chip ( IGBT )

-40

150

°C

Diodenchip ( Diode )

-40

150

°C

t stg

storage temperatur

Lagerungstemperaturbereich

-40

150

°C

m

Einrichtungstrom

Schraubdrehmoment

Für die Montagebefestigung – M5 Montage – M5

3

6

Nm

Für die Schaltungsverbindung – M4

Elektrische Anschlüsse – M4

1.8

2.1

Nm

Für die Schaltungsverbindung – M8

Elektrische Anschlüsse – M8

8

10

Nm

符号 Symbol

参数名称 Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

Der letzte Wert Min.

Typische Werte - Das ist typisch.

Maksimalwert Max.

Einheit Einheit

R 25

Nennwiderstandswert

Nennwert Widerstand

t C = 25 °C

5

kΩ

△ R /R

R100 Abweichung

Abweichung von R100

t C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P 25

Dissipationsleistung

Leistungsverlust

t C = 25 °C

20

mW

B 25/50

- Ich weiß. Wert

B-Wert

R 2 = R 25exp [B 25/50 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

- Ich weiß. Wert

B-Wert

R 2 = R 25exp [B 25/80 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

- Ich weiß. Wert

B-Wert

R 2 = R 25exp [B 25/100 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 Symbol

参数名称 Parameter

条件

Prüfbedingungen

Der letzte Wert Min.

Typische Werte - Das ist typisch.

Maksimalwert Max.

Einheit Einheit

I CES

集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms)

Sammler-Abschlusstrom

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , t Vj =150 °C

40

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , t Vj =175 °C

60

mA

I GES

极漏电流 (极) 极leckstrom

Tor Leckstrom

V GE = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V GE (TH)

极 -发射极值电压 Schrankschwellenspannung

I C = 60mA, V GE = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (gesättigt) (b)

集电极 - und Stromdruck

Sättigung des Sammler-Emitters

Spannung

V GE =15V, I C = 1800A

1.70

V

V GE =15V, I C = 1800A, t Vj = 150 °C

2.10

V

V GE =15V, I C = 1800A, t Vj = 175 °C

2.15

V

I F

2D-Rohr direktstrom Diodenvorwärtsstrom

DC

1800

Ein

I FRM

2°-Rohrrichtung Diode Spitzenvorwärtsstrom nt

t P = 1 ms

3600

Ein

V F (b)

2 ̊-Rohrrichtung

Diodenvorwärtsspannung

I F = 1800A, V GE = 0

1.60

V

I F = 1800A, V GE = 0, t Vj = 150 °C

1.75

V

I F = 1800A, V GE = 0, t Vj = 175 °C

1.75

V

I SC

Kurzschlussstrom

Kurzschluss Aktuell

t Vj = 175°C, V CC = 1000V, V GE ≤ 15 V, t P ≤ 10μs,

V CE(max) = V CES – L (b) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

Ein

C ies

Input-Kapazität

Eingangskapazität

V CE = 25 V, V GE = 0V, F = 100 KHz

542

NF

Q g

极电荷

Gate-Ladung

±15V

23.6

μC

C res

Gegenseitige Übertragungskapazität

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

V CE = 25 V, V GE = 0V, F = 100 KHz

0.28

NF

L sCE

Modul-Streuinduktivität

Modul Streu inducta nce

8.4

nH

R CC ’+ EE ’

Modullangleitungswiderstand, Anschlüsse -Chip m Modulkontakt Widerstand, Anschluss-Chip

pro Schalter

pro Schalter

0.20

mΩ

R Gint

Interner Gitterwiderstand

Interner Gate Widerstand

1

Ω

符号 Symbol

参数名称 Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

Der letzte Wert Min.

Typische Werte - Das ist typisch.

Maksimalwert Max.

Einheit Einheit

t d ((aus)

Ausschaltverzögerung

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15 V, R G ((OFF) = 0,5Ω, L s = 25nH,

D V ⁄dt =3800V⁄μs (t Vj = 150 °C).

t Vj = 25 °C

1000

NS

t Vj = 150 °C

1200

t Vj = 175 °C

1250

t F

- Ich bin nicht sicher. Herbstzeit

t Vj = 25 °C

245

NS

t Vj = 150 °C

420

t Vj = 175 °C

485

e aus

Abschaltverluste

Energieverlust bei Abschaltung

t Vj = 25 °C

425

mJ

t Vj = 150 °C

600

t Vj = 175 °C

615

t (Das ist ein

开通延迟时间

Verzögerungszeit der Einleitung

I C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15 V, R G ((ON) = 0,5Ω, L s = 25nH,

D I ⁄dt = 8500A⁄μs (t Vj = 150 °C).

t Vj = 25 °C

985

NS

t Vj = 150 °C

1065

t Vj = 175 °C

1070

t R

Aufstieg Aufstiegszeit

t Vj = 25 °C

135

NS

t Vj = 150 °C

205

t Vj = 175 °C

210

e auf

开通损耗

Schaltenergie Verlust

t Vj = 25 °C

405

mJ

t Vj = 150 °C

790

t Vj = 175 °C

800

Q RR

2D-Rohr umgekehrter Rückschubstrom Diode umgekehrt

Einziehungsgebühr

I F =1800A, V CE = 900V,

- Das ist... I F /dt = 8500A⁄μs (t Vj = 150 °C).

t Vj = 25 °C

420

μC

t Vj = 150 °C

695

t Vj = 175 °C

710

I RR

2D-Rohr umgekehrter Rücklaufstrom Diode umgekehrt

Rückgewinnungsstrom

t Vj = 25 °C

1330

Ein

t Vj = 150 °C

1120

t Vj = 175 °C

1100

e Erklärungen

2D-Rohrrückstand Diode umgekehrt

Energiewiederherstellung

t Vj = 25 °C

265

mJ

t Vj = 150 °C

400

t Vj = 175 °C

420