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IGBT-Modul 4500V

IGBT-Modul 4500V

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YMIF900-45, IGBT-Modul, Einzel-Switch-IGBT, CRRC

4500V 900A

Brand:
CRRC
Spu:
Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
  • Einführung
  • Gliederung
Einführung

Kurze Einführung:

Hochspannungs-Einzel-Schalter-IGBT-Module, die von CRRC hergestellt werden. 4500V 900A.

Funktionen

SPT+Chip-Set für niedrige Schalt verluste

Niedrig V CEsat

Niedrige Treiber leistung

Ein lSiC Grundplatte für hohe leistung c zyklische fähigkeit y

AlN Substrat für niedrigen thermischen widerstand

Typisch anwendung

Traktionsantriebe

DC-Chopper

Hochspannungswechselrichter/-wandler

Maximale Nennwerte

Parameter/参数

Symbol/符号

Bedingungen/条件

min

max

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter 集电极 -发射极电压

V CES

V GE =0V,T vj ≥25°C

4500

V

DC-Kollektor aktuell 集电极电流 (Zusammenfassung von elektrischem Strom)

I C

T C =80°C

900

Ein

Spitzen-Kollektor aktuell 集电极峰值电流

I CM

tp=1ms,Tc=80°C

1800

Ein

Spannung des Tor-Emitters gatetreiber-Emitter-Spannung

V GES

-20

20

V

Gesamt leistungsverlust gesamtleistungsverlust

P tot

T C =25°C,perswitch(IGBT)

8100

W

DC Vorwärtsstrom gleichstrom-Vorwärtsstrom

I F

900

Ein

Spitzen-Vorwärtsstrom 峰值正向电流

I FRM

tP=1 ms

1800

Ein

- Die Welle. aktuell einschaltstrom

I FSM

V R =0V,T vj =125°C,tp=10ms, halbwelle

6700

Ein

IGBT Kurzschluss sCHALTUNG SOA IGBT Kurzschluss-Sicherheitsarbeitsbereich

t psc

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V GE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

Isolationsspannung 绝缘电压

V isolierung

1min, f=50Hz

10200

V

Junction-Temperatur 结温

T vj

150

Junction-Betriebstemperatur erature Arbeitszeit

T vj(op)

-50

125

Gehäusetemperatur

T C

-50

125

Lagertemperatur

T stg

-50

125

Montagedrehmomente einrichtungstrom

M S

4

6

Nm

M T 1

8

10

M T 2

2

3

IGBT Charakteristische Werte

Parameter/参数

Symbol/符号

Bedingungen/条件

Min

tYP

max

Einheit

Sammler (- Emitter) durchbruch spannung

集电极 -发射极阻断电压

V (BR)CES

V GE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Sättigung des Sammler-Emitters spannung

集电极 -发射极饱和电压

V CEsat

I C =900A, V GE =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

Kollektor-Abschaltspannung aktuell 集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms)

I CES

V CE =4500V, V GE =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Tor leckstrom 极漏电流 (极) 极leckstrom

I GES

V CE =0V,V GE =20V, T vj = 125°C

-500

500

nA

Gate-Emitter Schwellenwertspannung gatetreiber-Emitter-Schwellenwertspannung

V EG (Jahr)

I C =240mA,V CE =V GE , T vj = 25°C

4.5

6.5

V

Tor ladevorgang 极电荷

Q g

I C =900A,V CE = 2800V, V GE =-15V 15V

8.1

μC

Eingangskapazität Input-Kapazität

C ies

V CE =25V,V GE =0V, f=1MHz,T vj = 25°C

105.6

nF

Ausgangskapazität Ausgangsleistung

C - Die

7.35

Rückwärtsübertragungs-Kapazität rückwärtsübertragungs-Kapazität

C res

2.04

Einschaltverzögerung zeit 开通延迟时间

t (Das ist ein

V CC = 2800V,

I C =900A,

R G =2.2 ω ,

V GE =±15V,

L σ =280nH,

感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)

Fernsehen = 25 °C

680

nS

Fernsehen = 125 °C

700

Aufstiegszeit aufstieg

t r

Fernsehen = 25 °C

230

Fernsehen = 125 °C

240

Verzögerungszeit für die Abschaltung ausschaltverzögerung

t d (aus )

Fernsehen = 25 °C

2100

nS

Fernsehen = 125 °C

2300

Herbstzeit - Ich bin nicht sicher.

t f

Fernsehen = 25 °C

1600

Fernsehen = 125 °C

2800

Einschaltsteuerung energieverlust einschaltverluste

E auf

Fernsehen = 25 °C

1900

mJ

Fernsehen =125 °C

2500

Ausschaltsteuerung energieverlust ausschaltverluste

E aus

Fernsehen = 25 °C

3100

mJ

Fernsehen =125 °C

3800

Kurzschluss aktuell kurzschlussstrom

I SC

t psc 10μ s, V GE =15V, T vj = 125°C,V CC = 3400V

3600

Ein

Gliederung

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