4500V 900A
Kurze Einführung:
Hochspannungs-Einzel-Schalter-IGBT-Module, die von CRRC hergestellt werden. 4500V 900A.
Merkmale
SPT+Chip-Set für niedrige Schalt verluste |
Niedrig vCEsat |
Niedrige Treiber Leistung |
EinlSiC Grundplatte für hohe Leistung Czyklische FähigkeitY |
AlN Substrat für niedrigen thermischen Widerstand |
TypischAnwendung
Traktionsantriebe |
DC-Chopper |
Hochspannungswechselrichter/-wandler |
Maximale Nennwerte
Parameter/参数 | Symbol/符号 | Bedingungen/条件 | Min | Max | Einheit |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter 集电极-发射极电压 | vCES | vGE =0V,TVj ≥25°C |
| 4500 | v |
DC-Kollektor Aktuell 集电极电流 (Zusammenfassung von elektrischem Strom) | IC | tC =80°C |
| 900 | Ein |
Spitzen-Kollektor Aktuell 集电极峰值电流 | ICM | tp=1ms,Tc=80°C |
| 1800 | Ein |
Spannung des Tor-Emitters Gatetreiber-Emitter-Spannung | vGES |
| -20 | 20 | v |
Gesamt Leistungsverlust Gesamtleistungsverlust | Ptot | tC =25°C,perswitch(IGBT) |
| 8100 | W |
DC Vorwärtsstrom Gleichstrom-Vorwärtsstrom | IF |
|
| 900 | Ein |
Spitzen-Vorwärtsstrom 峰值正向电流 | IFRM | TP=1 ms |
| 1800 | Ein |
- Die Welle. Aktuell Einschaltstrom | IFSM | vr =0V,TVj =125°C,tp=10ms, Halbwelle |
| 6700 | Ein |
IGBT Kurzschluss SCHALTUNG SOA IGBT Kurzschluss-Sicherheitsarbeitsbereich |
tpsc |
vCC =3400V,VCEMCHIP≤4500V vGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
Isolationsspannung 绝缘电压 | vIsolierung | 1min, f=50Hz |
| 10200 | v |
Junction-Temperatur 结温 | tVj |
|
| 150 | ℃ |
Junction-Betriebstemperaturerature Arbeitszeit | tvj(op) |
| -50 | 125 | ℃ |
Gehäusetemperatur 温 | tC |
| -50 | 125 | ℃ |
Lagerungstemperatur | tstg |
| -50 | 125 | ℃ |
Montagedrehmomente Einrichtungstrom | ms |
| 4 | 6 | Nm |
mt1 |
| 8 | 10 | ||
mt2 |
| 2 | 3 |
|
IGBT Charakteristische Werte
Parameter/参数 | Symbol/符号 | Bedingungen/条件 | Min | Typ | Max | Einheit | |
Sammler (- Emitter) Durchbruch Spannung 集电极-发射极阻断电压 |
v(BR)CES | vGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C |
4500 |
|
|
v | |
Sättigung des Sammler-Emitters Spannung 集电极-发射极饱和电压 |
vCEsat | IC =900A, vGE =15V | Tvj= 25°C |
| 2.7 | 3.2 | v |
Tvj=125°C |
| 3.4 | 3.8 | v | |||
Kollektor-Abschaltspannung Aktuell 集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms) | ICES | vCE =4500V, vGE =0V | Tvj= 25°C |
|
| 10 | mA |
Tvj=125°C |
|
| 100 | mA | |||
Tor Leckstrom 极漏电流 (极) 极leckstrom | IGES | vCE =0V,VGE =20V, tVj = 125°C | -500 |
| 500 | NA | |
Gate-Emitter Schwellenwertspannung Gatetreiber-Emitter-Schwellenwertspannung | vEG (Jahr) | IC =240mA,VCE =VGE, tVj = 25°C | 4.5 |
| 6.5 | v | |
Tor ladevorgang 极电荷 | Qg | IC =900A,VCE = 2800V, vGE =-15V … 15V |
| 8.1 |
| μC | |
Eingangskapazität Input-Kapazität | Cies |
vCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,TVj = 25°C |
| 105.6 |
|
NF | |
Ausgangskapazität Ausgangsleistung | C- Die |
| 7.35 |
| |||
Rückwärtsübertragungs-Kapazität Rückwärtsübertragungs-Kapazität | Cres |
| 2.04 |
| |||
Einschaltverzögerung Zeit 开通延迟时间 | t(Das ist ein |
vCC = 2800V, IC =900A, rg =2.2Ω , vGE =±15V, Lσ=280nH, 感性负载 (gefühlsmäßige Belastung) | Fernsehen = 25 °C |
| 680 |
|
NS |
Fernsehen = 125 °C |
| 700 |
| ||||
Aufstiegszeit Aufstieg | tr | Fernsehen = 25 °C |
| 230 |
| ||
Fernsehen = 125 °C |
| 240 |
| ||||
Verzögerungszeit für die Abschaltung Ausschaltverzögerung | tD(aus) | Fernsehen = 25 °C |
| 2100 |
|
NS | |
Fernsehen = 125 °C |
| 2300 |
| ||||
Herbstzeit - Ich bin nicht sicher. | tF | Fernsehen = 25 °C |
| 1600 |
| ||
Fernsehen = 125 °C |
| 2800 |
| ||||
Einschaltsteuerung Energieverlust Einschaltverluste | eauf | Fernsehen = 25 °C |
| 1900 |
| mJ | |
Fernsehen =125 °C |
| 2500 |
| ||||
Ausschaltsteuerung Energieverlust Ausschaltverluste | eaus | Fernsehen = 25 °C |
| 3100 |
| mJ | |
Fernsehen =125 °C |
| 3800 |
| ||||
Kurzschluss Aktuell Kurzschlussstrom | ISC | tpsc≤ 10μs, VGE =15V, tVj= 125°C,VCC = 3400V |
| 3600 |
| Ein | |
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