600V~1800V,415F3
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
Kurze Einführung
Schnelle Wiederherstellungsdiodenmodule , MZx75 ,MZ75 ,Luftkühlung ,von TECHSEM produziert.
VRRM | Typ & Umriss |
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V 1800V | MZx75-06-216F3 MZx75-08-216F3 MZx75-10-216F3 MZx75-12-216F3 MZx75-14-216F3 MZx75-16-216F3 MZx75-18-216F3 MZ75-18-216F3G |
MZx steht für jede Art von MZC, MZA, MZK
Merkmale ：
Typische Anwendungen ：
Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen | Tj( ℃ ) | Wert |
Einheit | ||
Min | Typ | Max | |||||
IF(AV) | Mittlerer Vorwärtsstrom | 180° halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, TC=85 ℃ |
140 |
|
| 75 | Ein |
IF(RMS) | RMS-Vorwärtsstrom |
|
| 118 | Ein | ||
IRRM | Wiederholender Spitzenstrom | bei VRRM | 140 |
|
| 20 | mA |
IFSM | Überspannungsstrom | 10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM |
140 |
|
| 2.0 | kA |
1 t | I2t für Fusionskoordination |
|
| 20 | 103Ein 2s | ||
VFO | Schwellenspannung |
|
140 |
|
| 1.10 | v |
rF | Vorwärtssteigungswiderstand |
|
| 3.00 | m | ||
VFM | Spitzenvorwärtsspannung | IFM=225A | 25 |
|
| 2.00 | v |
trr | Rückwärts-Rückgewinnungszeit | IFM=200A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V | 140 |
| 3.0 |
| μs |
25 |
| 2.0 |
| μs | |||
Rth(j-c) | Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.310 | ℃ /W |
Rth(c-h) | Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.080 | ℃ /W |
FM | Anschlussdrehmoment (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | |
VISO | Isolationsspannung | 50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v |
Fernsehen | Junction-Temperatur |
|
| -40 |
| 140 | ℃ |
Tstg | Lagertemperatur |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Wt | Gewicht |
|
|
| 320 |
| g |
Gliederung | 216F3 | ||||||
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