600V~1800V,415F3
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
Kurze Einführung
Schnelle Wiederherstellungsdiodenmodule , MZ x30 0,Luftkühlung ,von TECHSEM produziert.
VRRM | Typ & Umriss |
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V 1800V | MZx300-06-415F3 MZx300-08-415F3 MZx300-10-415F3 MZx300-12-415F3 MZx300-14-415F3 MZx300-16-415F3 MZx300-18-415F3 MZ300-18-415F3G |
MZx steht für jede Art von MZC, MZA, MZK
Merkmale ：
Typische Anwendungen ：
Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen | Tj( ℃ ) | Wert |
Einheit | ||
Min | Typ | Max | |||||
IF(AV) | Mittlerer Vorwärtsstrom | 180° halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, TC=85 ℃ |
140 |
|
| 300 | Ein |
IF (RMS) | RMS-Vorwärtsstrom |
|
| 471 | Ein | ||
IRRM | Wiederholender Spitzenstrom | bei VRRM | 140 |
|
| 70 | mA |
IFSM | Überspannungsstrom | 10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM |
140 |
|
| 8.30 | kA |
1 t | I2t für Fusionskoordination |
|
| 344 | 103Ein 2s | ||
VFO | Schwellenspannung |
|
140 |
|
| 0.95 | v |
rF | Vorwärtssteigungswiderstand |
|
| 0.48 | m | ||
VFM | Spitzenvorwärtsspannung | IFM=900A | 25 |
|
| 1.55 | v |
trr | Rückwärts-Rückgewinnungszeit | IFM=300A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V | 140 |
| 4 |
| μs |
25 |
| 3 |
| μs | |||
Rth(j-c) | Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.120 | ℃ /W |
Rth(c-h) | Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.040 | ℃ /W |
VISO | Isolationsspannung | 50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v |
FM | Anschlussdrehmoment (M10) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | |
Fernsehen | Junction-Temperatur |
|
| -40 |
| 140 | ℃ |
Tstg | Lagertemperatur |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Wt | Gewicht |
|
|
| 1260 |
| g |
Gliederung | 415F3 | ||||||
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