MZx250, Schnelle Wiederherstellungsdiode Modul, TECHSEM | Schnelle Wiederherstellungsdiodenmodule |

MZx250, Fast Recovery Diode Modul, TECHSEM

600V~1800V,415F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MZx250

Appurtenance:

Produktbroschüre:HERUNTERLADEN

Kurze Einführung

Schnelle Wiederherstellungsdiodenmodule , MZ x25 0,Luftkühlung ,von TECHSEM produziert.

VRRM

Typ & Umriss

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MZx250-06-415F3

MZx250-08-415F3

MZx250-10-415F3

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MZx250-16-415F3

MZx250-18-415F3

MZ250-18-415F3G

MZx steht für jede Art von MZC, MZA, MZK

Merkmale ：

Typische Anwendungen ：

Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen	Tj( ℃ )	Wert			Einheit
Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen	Tj( ℃ )	Min	Typ	Max	Einheit
IF(AV)	Mittlerer Vorwärtsstrom	180° halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, TC=85 ℃	140			250	Ein
IF (RMS)	RMS-Vorwärtsstrom	180° halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, TC=85 ℃	140			392	Ein
IRRM	Wiederholender Spitzenstrom	bei VRRM	140			70	mA
IFSM	Überspannungsstrom	10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM	140			6.2	kA
I ²t	I2t für Fusionskoordination	10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM	140			192	10³Ein ²s
VFO	Schwellenspannung		140			1.08	v
rF	Vorwärtssteigungswiderstand		140			0.35	m
VFM	Spitzenvorwärtsspannung	IFM=750A	25			1.55	v
trr	Rückwärts-Rückgewinnungszeit	IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V	140		4		μs
trr	Rückwärts-Rückgewinnungszeit	IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V	25		3		μs
Rth(j-c)	Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse	Einseitig gekühlt pro Chip				0.150	℃ /W
Rth(c-h)	Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper	Einseitig gekühlt pro Chip				0.040	℃ /W
VISO	Isolationsspannung	50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)		3000			v
FM	Anschlussdrehmoment (M10)			10.0		12.0	N·m
FM	Montagedrehmoment (M6)			4.5		6.0	N·m
Fernsehen	Junction-Temperatur			-40		140	℃
Tstg	Lagertemperatur			-40		125	℃
Wt	Gewicht				1260		g
Gliederung	415F3