2800V~3000V,417F2
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
Kurze Einführung
Schnelle Wiederherstellungsdiodenmodule , MZ 100,Luftkühlung ,von TECHSEM produziert.
VRRM | Typ & Umriss | |
600V | MZ100-06-210F2NA | MZ100-06-210F2NK |
800V | MZ100-08-210F2NA | MZ100-08-210F2NK |
1000V | MZ100-10-210F2NA | MZ100-10-210F2NK |
1200V | MZ100-12-210F2NA | MZ100-12-210F2NK |
1400V | MZ100-14-210F2NA | MZ100-14-210F2NK |
1600V | MZ100-16-210F2NA | MZ100-16-210F2NK |
1800V | MZ100-18-210F2NA | MZ100-18-210F2NK |
Merkmale ：
Typische Anwendungen
Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen | Tj( ℃ ) | Wert |
Einheit | ||
Min | Typ | Max | |||||
IF(AV) | Mittlerer Vorwärtsstrom | 180° halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt,TC= 100 ℃ | 140 |
|
| 100 | Ein |
IF (RMS) | RMS-Vorwärtsstrom |
|
| 157 | Ein | ||
IRRM | Wiederholender Spitzenstrom | bei VRRM | 140 |
|
| 30 | mA |
IFSM | Überspannungsstrom | 10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM | 140 |
|
| 3.5 | kA |
1 t | I2t für Fusionskoordination |
|
| 61 | Ein 2s* 10 3 | ||
VFO | Schwellenspannung |
|
140 |
|
| 1.05 | v |
rF | Vorwärtssteigungswiderstand |
|
| 1.80 | mΩ | ||
VFM | Spitzenvorwärtsspannung | IFM=300A | 25 |
|
| 1.90 | v |
trr | Rückwärts-Rückgewinnungszeit | IFM=200A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V | 140 |
| 4 |
| μs |
Rth(j-c) | Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.200 | ℃ /W |
Rth(c-h) | Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.080 | ℃ /W |
FM | Anschlussdrehmoment (M6) |
|
|
| 6.0 |
| N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
|
| 6.0 |
| N·m | |
Fernsehen | Junction-Temperatur |
|
| -40 |
| 140 | ℃ |
Tstg | Lagertemperatur |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Wt | Gewicht |
|
|
| 185 |
| g |
Gliederung | 210F2 | ||||||
DE
