MUR20020, Superschnellwiederherstellungsdiodenmodul, TECHSEM

VRRM

Typ & Umriss

200V

MUR200 20-235H3

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj(°C )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IF(AV)

Maximale durchschnittliche Vorwärtsstromstärke

Einseitig gekühlt, TC=100℃ Pro Modul.

150

200

Ein

VRRM

Wiederholende Spitzenspannung

tp=10ms

25

200

V

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

VRM=200V

150

500

μA

25

10

μA

IFSM

Überspannungsstrom

Pro Diode , 8,3ms halbe Sinuswelle

25

1.1

kA

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

Pro Diode @IFM=100A

125

1.1

1.2

V

25

1.2

1.4

V

trr

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

IF=0,5A, IRM=1A, IRR=0,25A

125

80

120

NS

25

60

80

NS

CJ

Knotenkapazität

VR =200V

35

PF

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Pro Diode , Einseitig gekühlt

0.40

℃ /W

Fernsehen

Junction-Temperatur

-55

150

℃

Tstg

Lagertemperatur

-55

125

℃

FM

Anschlussdrehmoment (M6)

5.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

5.0

N·m

Wt

Gewicht

69

g

Gliederung

302H3