Kurze Einführung
Thyristor/ Diodenmodul , MTx 820 MFx 820 MT 800，820Ein ,Luftkühlung ，von TECHSEM produziert.
VRRM ,VDRM |
TYP & Umriss |
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600V |
MTC820-06-416F3 |
MFC820-06-416F3 |
800V |
MTC820-08-416F3 |
MFC820-08-416F3 |
1000V |
MTC820-10-415F3 |
MFC820-10-416F3 |
1200V |
MTC820-12-416F3 |
MFC820-12-416F3 |
1400V |
MTC820-14-416F3 |
MFC820-14-416F3 |
1600V |
MTC820-16-416F3 |
MFC820-16-416F3 |
1800V |
MTC820-18-416F3 |
MFC820-18-416F3 |
1800V |
MT820-18-416F3G |
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Funktionen
Typische Anwendungen
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Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj(℃) |
Wert |
Einheit |
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Min |
TYP |
Max |
|||||
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180° Halbsinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, Tc=85℃ |
135 |
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820 |
Ein |
IT(RMS) |
RMS Durchlassstrom |
180。halbe Sinuswelle 50Hz |
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|
1287 |
Ein |
|
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
135 |
|
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120 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
10 ms halbe Sinuswelle, VR=0V |
135 |
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20.1 |
kA |
I 2t |
I2t für Fusionskoordination |
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2020 |
Ein 2s* 10 3 |
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VTO |
Schwellenspannung |
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135 |
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0.81 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
0.24 |
mΩ |
||
VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
ITM= 1500A |
25 |
|
|
1.38 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend |
135 |
|
|
200 |
A/μs |
tgd |
Torsteuerung der Verzögerungszeit |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
25 |
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4 |
μs |
Tq |
Schaltungskommutierte Abschaltzeit |
ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs |
135 |
|
250 |
|
μs |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
250 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
Haltestrom |
10 |
|
300 |
mA |
||
IL |
Haltestrom |
Die Ergebnisse der Analyse werden in der Tabelle 1 beschrieben. |
25 |
|
|
1500 |
mA |
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
0.25 |
V |
IGD |
Nicht auslösender Torstrom |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
5 |
mA |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.047 |
°C/W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.015 |
°C/W |
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM |
Anschlussdrehmoment (M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
135 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
1410 |
|
g |
Gliederung |
416F3 |
||||||
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