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Luftkühlung

Luftkühlung

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MTx800 MFx800 MT800,Tyristor/Diodenmodule,Luftkühlung

800A,2000V~2500V,410F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MTx800 MFx800 MT800
  • Einführung
  • Gliederung
  • Äquivalentschaltbild
Einführung

Kurze Einführung

Thyristor/ Diodenmodul , MTx 800 MFx 800 MT 800800Ein ,Luft Kühlung von TECHSEM produziert.

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

600V

MTx800-06-410F3

MFx800-06-410F3

800V

MTx800-08-410F3

MFx800-08-410F3

1000V

MTx800-10-410F3

MFx800-10-410F3

1200V

MTx800-12-410F3

MFx800-12-410F3

1400V

MTx800-14-410F3

MFx800-14-410F3

1800V

MTx800-16-410F3

MFx800-16-410F3

1800V

MTx800-18-410F3

MFx800-18-410F3

1800V

MT800-18-410F3G

MTx steht für Art der MTC, MTA, MTK

MFx steht für jede Art E von MFC, Außenminister, MFK

Merkmale

  • Isolierte Montagesockel 3000V~
  • Druckkontakttechnologie mit
  • Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
  • Platz- und Gewichtseinsparung

Typische Anwendungen

  • AC/DC-Motorantriebe
  • Verschiedene Gleichrichter
  • Gleichstromversorgung für PWM-Inverter

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( )

Wert

Einheit

Min

Typ

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, TC=70

125

800

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

1256

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

45

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t=10ms halber Sinus,

125

22.0

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

2420

103A2s

VTO

Schwellenspannung

125

0.80

v

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.24

VTM

Spitzeneinschaltspannung

Die in Absatz 1 genannten Angaben werden nicht geändert.

25

1.68

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

10

200

mA

IL

Haltestrom

1500

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.048

)/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.020

)/W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

v

FM

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

12.0

16.0

N·m

Das Drehmoment für die Montage ((M8)

10.0

12.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

)

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

)

Wt

Gewicht

3310

g

Gliederung

410F3

Gliederung

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