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Thyristormodule (nicht isolierter Typ)

Thyristormodule (nicht isolierter Typ)

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MTG200, MTY200, Thyristormodule (nicht isolierter Typ), TECHSEM

800V bis 1800V,213F4

Brand:
TECHSEM
Spu:
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführten Daten sind zu entnehmen.
Appurtenance:

Produktbroschüre:HERUNTERLADEN

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Einführung

Kurze Einführung

Thyristormodule (nicht isolierter Typ) ,MTG200 ,MTY200 ,von TECHSEM produziert.

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MT2B2B2B2B2B2B2B2B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3B3

MFx200-08-213F4 MFx200-10-213F4 MFx200-12-213F4 MFx200-14-213F4 MFx200-16-213F4 MFx200-18-213F4

MTx steht für jede Art von MTG, MTY

MFx steht für jede Art von MFG, MFY

Funktionen

  • Nicht isoliert. Montage Basis als Anoden- oder C-Anoden-Endstange
  • Druckkontakttechnologie mit erhöhte Leistungszyklen Fähigkeit
  • Niedrige Anlaufspannung d Schnur

Typische Anwendungen

  • Schweißstromversorgung
  • Verschiedene Gleichstromquellen
  • Gleichstromversorgung für PWM-Inverter

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, TC=90

125

200

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

314

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

20

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus

125

5.2

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

135

103Ein 2s

VTO

Schwellenspannung

125

0.80

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

1.15

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=600A

25

1.62

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

100

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

150

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

2.5

V

IH

Haltestrom

10

180

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180 Sinus, Einseite pro Splitter gekühlt

0.13

/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Bei 180 ° Sinus, Einseite pro Splitter gekühlt

0.10

/W

FM

Anschlussdrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

Wt

Gewicht

280

g

Gliederung

213F4

Gliederung

Äquivalentschaltbild

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